MOS管的源极和漏极的区别

一、指代不同

　　1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

　　2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。

　　二、原理不同

　　1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。

　　2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

三、特点不同

　　1、源极：属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点

　　2、漏极：可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

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