sin和soi区别_FinFET和FD SOI的比较?

Global Foundry宣布放弃7nmFinFET的研发，转而重点研发他们相对成熟的28nm和22nm的FD-SOI工艺的开发。

在这里科普一下FinFET和FD-SOI的对比。

首先明确一点，FinFET和FD-SOI的存在，其实都是为了解决一个问题：晶体管尺寸做小之后，沟道的关断变得困难。

FinFET发明人胡正明教授曾经把晶体管的沟道比作一条水管，栅极电压就像一个石头，压住水管，截断水流。然而当晶体管尺寸不断变小，就像水管的长度不断变短，常规的方法很难将水管的水流完全阻断，因此我们需要新的晶体管设计，提高对沟道的控制能力。而者就是FinFET和FD-SOI存在的意义。

比较一下两种设计的优缺点：

先说FinFET：目前市面上常用的CPU全部采用FinFET的工艺制备，FinFET是半导体工艺里驱动电流参数最佳的选择，代表了“速度”。所有对速度有要求的芯片都会采用FinFET工艺。另外一个FinFET的优点是，它是“赢家”的选择，前三大的半导体制造商(Intel、三星、台积电)均采用FinFET工艺，带动了整个FinFET的生态蓬勃发展。FinFET所谓的“缺点”也很明显，就是工艺成本太高，性价比不是很好。对于高性能运算，FinFET无疑是最佳选择。

再说FD-SOI：也称为“绝缘体上硅”，它还是一个平面的半导体工艺，Back Gate带来的对沟道强控制，全耗尽减小了寄生电容效应，工作电压低，可靠性高。因此对IoT和模拟/射频芯片的支持有先天的优势。另一个明显优势是Mask数更少，成本相对更低。综上所述，FD-SOI技术在物联网、车载电子、通信等对可靠性和低功耗要求更高的领域，有很大的发展潜力。

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