浅析美光DDR2 SDRAM芯片编号

转自http://www.21tx.com

　　美光在FBGA（精细球状引脚格状阵列）封装后，使用了新的封装编号规则，从编号上不能看出产品的规格，但却可以查阅到其他新的信息。我们来看看下面这张图：

美光DDR2内存芯片的外观

在美光DDR2内存芯片上有两行主要的编码，第一行是生产日期与产地编码，第二行则是FBGA封装编号。从FBGA封装编号上，我们不能直接查出这款芯片的具体规格。为此，美光公司在其网站上专门设有一个查询网页，用户只需将这个编号输入到查询框中搜索即可得到正规的产品编号，再与本站早前公布的美光内存产品的编码规则，就可以得到这款芯片的具体参数了。比如，以上图为例，搜索出的结果就是：

Part Number	FBGA Code
MT47H32M8FP-5E ES	Z9BSJ

　　结合美光的编码规则，就可以看出这是一款256Mb，位宽8bit（32MX8bit），时钟频率为200MHz（-5E）的DDR2-400芯片，并且为工程样品（ES）。
虽然美光在相关说明中出公布了FBGA封装编号的一些说明，但经笔者研究，很难找到其中的规律，因此若想准确的得知芯片的细节参数，还是去美光的网站查询。
下面再来看看生产日期与产地编码，美光给出详细而准确的解释。

美光DDR2内存芯片日期与产地编码说明

　　日期与产地编码的前两个字符代表了生产日期，第一个字符为数字，代表生产年，3代表2003年，4代表2004年，依此类推。而第二个字符代表了生产周，编码规则如下：

26个字母对应26个生产周，由于是双周编号，所以26个字母正好能代表一年的周数（52个）。接下就是产品内核的版本，后面的两个字符则代表了产品集散地与装地，注意它们是数字而不是字母。不要将1看成是I。美光共规定了5个地区代码，编码规则如下：

·美国
·新加坡
·意大利
·日本
·中国

　　好了，现在我们以上面举例用的图片来演练一次。可以看出，它是2003年第32周生产，内核版本为B（应该是指第二代），产品集散地与封装地均为美国。那么，对于下面这张图呢？

　它的生产日期是2004年第4周，内核版本为B，集散与封装地为美国。Z9BQT的编号在美光网站上的查询结果如下：

Part Number	FBGA Code
MT47H32M8FP-37E ES	Z9BQT

　　这是一枚容量为256Mbit，位宽8bit，速度为DDR2-533的芯片，为工程样品。有兴趣的美光内存产品的用户，不妨自己试验一下，也希望这篇文章能对准备选购美光内存的用户提供有益的帮助。

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