N沟道还是P沟道MOSFET
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如何区分场效应管是N沟道还是P沟道?
答:在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向,P沟道的箭头是向外侧指向的。
N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档,红表笔接S极,黑表笔接D极,测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档,红表笔接D极,黑表笔接S极,测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的。(用表笔二极管档测s极和D极的一组数值(600-800)红S黑D是N沟道黑S红D是P沟道)。
场效应管分为N沟道和P沟道,它的导通条件分别是什么?
答:都是靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。
(复杂点的看下文)
场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。
但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止。开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1、截止,2、线性放大,3、饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加)。使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止,集电极不吸收电流表示关;以晶体管饱和,发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。开关电路用于数字电路时,输出电位接近0V时表示0,输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。
N沟G极高电平时导通,电流从D极流向S极;
P沟G极低电平时导通,电流从S极流向D极.
NPN PNP是指三极管 MOS管是N沟道和P沟道 至于电流的流向 只要G级满足导通条件 MOS管就相当于导线怎么流都是可以的 关键在于G级
在电子元器件技术中:论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这。
理想的mos管,不管nmos还是pmos,沟道打开的时候,电流可从源到漏,也可从漏到源。但是实际的mos管,由于制造工艺的原因,在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管。由于这个寄生二极管的存在,当沟道关闭后,mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此,为了让mos管正常工作,必须保证该寄生二极管处于反偏。具体来说,对于nmos,寄生二极管方向是从源到漏,因此电路上电流应该从漏到源,即漏极电位高于源极才能正常工作;而pmos则相反。可简单归纳为“n正驱(栅极电位高于硅基底)反通(漏极高于源极),p反驱正通”。
? 题目
在正向开启的栅源电压下,给N沟道MOS管漏源之间加负电压,请问会有什么变化,
可以产生回路吗?
另一个问题,P沟道MOS 栅源电压为负,开启后,漏源电压为负,电流是从源级,流向漏极的吗?
如果是,那么我在漏源间加正电压,又会是什么情况呢,可以形成回路吗?
优质解答
其实一个mos管物理实现上是不区分源漏的,两边完全对称,只有外加电压后才有源漏一说.
- 追问:
- 能不能说具体点啊, 你的意思是 外家栅源电压后, 漏源才有区分,那假如是N沟道的话,只能是漏源电压正,才可以有电流是吧
- 追答:
- 是的,但是你那样说是不准确的。只要源漏间有压降,沟道就会有电流,而电流的方向又决定了提供载流子的一端为源极,即载流子从源级流向漏极。
- 追问:
- 假如是N沟道的话,只能是漏源电压正,才可以有电流是吧, 如果漏源加负电压呢,会有电流吗
- 追答:
- 就源漏互换了啊,没有看懂我最开始的回答么。。原来的漏极变成新的源级,电流方向和原来相反
- 追问:
- 就是说只要栅源的开启电压达到阈值,开启后, 漏源电压无论正负都有电流是吧。 漏源其实就是指一个电流的流向是漏到源,无论怎么正负电压,电流总是从漏极流向源级。是这意思吧
- 追答:
- 是的,但是源漏的互换不是突变的,需要花一定的时间。另外开启条件也是和源级电位有关:Vgs>Vth
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