前言

Cadence仿真中，MOS管的参数很多，有些参数可以直接添加到计算器中，进行数据的计算。

type：MOS 管类型，可能值为 n 或 p。
region：MOS 管的工作区域，可能值为 0~4，分别对应：0：关断；1：线性区；2：饱和区；3：亚阈值区；4：击穿
reversed：MOS 管是否反向，可能值为 yes 或 no。
ids (A)：阻性漏源电流
lx4 (A)： ids 的别名，当 MOS 管反向时有相反的符号。
lx50 (A)：衬源电流。
vgs / lx2 (V)：栅源电压。
vds / lx3 (V)：漏源电压。
vbs / lx1 (V)：衬源电压。
vth (V)：有效阈值电压。
lv9 (V)：vth 的别名。
vdsat (V)：漏源饱和电压。
lv26 (V)：平带电压（Flat-band voltage）。
lv10 (V)：vdsat 的别名。
gm / lx7 (S)：共源跨导。
gds / lx8 (S)：共源输出跨导。
gmbs / lx9 (S)：衬底跨导。
betaeff (A/V2)：有效 β 值。
cjd / lx29 (F)：漏区衬底结电容。
cjs / lx28 (F)：源区衬底结电容。
lx12 (Coul)：衬底电荷（Qb）
lx14 (Coul)：栅极电荷（Qg）
lx16 (Coul)：漏区电荷（Qd）
lx24 (Coul)：漏区 PN 结电荷。
lx26 (Coul)：源区 PN 结电荷。
cgg / lx18 (F)：dQg_dVg
cgd / lx19 (F)：dQg_dVd
cgs / lx20 (F)：dQg_dVs
cgb (F)：dQg_dVb
cdg / lx32 (F)：dQd_dVg
cdd / lx33 (F)：dQd_dVd
cds / lx34 (F)：dQd_dVs
cdb (F)：dQd_dVb
csg (F)：dQs_dVg
csd (F)：dQs_dVd
css (F)：dQs_dVs
csb (F)：dQs_dVb
cbg / lx21 (F)：dQb_dVg
cbd / lx22 (F)：dQb_dVd
cbs / lx23 (F)：dQb_dVs
cbb (F)：dQb_dVb
ron()：导通电阻。
id / i1 (A)：漏端电流。
is / i3 (A)：源端电流。
ibulk / i4 (A)：衬底电流。
lx5 (A)：源端 PN 结电流。
lx6 (A)：漏端 PN 结电流。
pwr (W)：处于工作点时的功耗。
gmoverid (1/V)：Gm/Ids
lv36 (F)：栅源交叠电容。
lv37 (F)：栅漏交叠电容。
lv38 (F)：栅衬底交叠电容。
lx10 (S)：漏区二极管跨导。
lx11 (S)：源区二极管跨导。

总结

最终要的，例如gm/Ids，都是直接可以用的，不用自己再输入公式计算了。

Cadence仿真笔记：MOS的参数名称解释相关推荐

MOS管参数μCox得到的一种方法
有时我们进行模拟IC设计时需要进行手工计算,然而工艺库中参数不是那么的好找,此时可以采用仿真的方式得到手算参数μnCox,以及沟道长度调制效应系数. 我是新手,写的有问题欢迎各位大佬指出,别喷我,害怕 ...
【Cadence 17.4电路设计与仿真笔记】02-元件库维护及原理图设计
[说明]:本文内容包括: 参考资料: 1-Cadence OrCAD 原理图快捷键详解--廖光铖 2-Cadence Allegro 快捷键设置--吴川斌的博客 6-<Cadence Alleg ...
【PDN仿真笔记6-使用Sigrity PowerSI进行PDN仿真的方法1】
PDN仿真笔记6-使用Sigrity PowerSI进行PDN仿真的方法1 1.电容模型的处理在进行PDN仿真前,需要添加无源器件的模型,其中主要需要关注的是电容模型.关于电容模型的详细分析请见链接 ...
HALCON 21.11：深度学习笔记---设置超参数(5)
HALCON 21.11:深度学习笔记---设置超参数(5) HALCON 21.11.0.0中,实现了深度学习方法.关于超参数的有关设置内容如下: 不同的DL方法是为不同的任务设计的,它们的构建方式 ...
simulink电机仿真笔记一
simulink电机仿真笔记一开场白电机模型开场白最近有点闲,于是尝试用simulink自带的电气库做一个电机控制仿真模型,将现有的工程代码用S-function嵌入到模型中.由于自己对这些库 ...
【PDN仿真笔记8-使用Sigrity 进行DCR仿真的方法】
PDN仿真笔记8-使用Sigrity 进行DCR仿真的方法使用Sigrity进行DCR仿真有两个方法:用PowerDC或者PowerSI进行仿真 1.使用PowerDC进行DCR仿真的方法打开Po ...
【PDN仿真笔记9-使用Sigrity PowerDC进行IR Drop仿真的方法】
PDN仿真笔记9-使用Sigrity PowerDC进行IR Drop仿真的方法使用PowerDC进行IR Drop的仿真,分析电源平面的电压跌落及电流密度的分布情况,有利于对电源平面压降.电流载流 ...
PDN仿真笔记5-电容走线影响寄生电感的因素分析
PDN仿真笔记5-电容走线影响寄生电感的因素分析 1. 过孔距离对寄生电感的影响分析过孔的距离远近对寄生电感的影响. 过孔最近的距离设置为40mil 过孔的最远距离设置为68mil 添加变量变量设 ...
【rotors】多旋翼无人机仿真（四）——参数补偿和PID控制
[rotors]多旋翼无人机仿真(一)--搭建rotors仿真环境 [rotors]多旋翼无人机仿真(二)--设置飞行轨迹 [rotors]多旋翼无人机仿真(三)--SE3控制 [rotors]多旋翼 ...
机器人运动学仿真笔记
机器人运动学仿真笔记安川机器人当前(基座)位姿是工具坐标系在基座下的位姿,欧拉角zyx. SFTON一般用于四自由度x.y.z.Rz的补偿. 内部计算指令:MULMAT(取数据 2 和数据 3 的矩 ...

Cadence仿真笔记：MOS的参数名称解释

前言

总结

Cadence仿真笔记：MOS的参数名称解释相关推荐

最新文章

热门文章