DS18B20温度传感器

复位

时序图如下所示：低电平持续时间为480-960us,高电平持续时间为15-60us，然后低电平持续60-240us。

代码如下：

void ds18b20_rst(void)
{IO_OUT;                //输出模式DQ_OUT=0;              //拉低DQ引脚delay_us(600);         //延时480-960usDQ_OUT=1;              //拉高DQ引脚while(DQ_OUT);         //等待器件应答（器件拉低），约15-60us后while(!DQ_OUT);        //应答脉冲出现后，等待器件拉高，约60-240us后
}

写0操作

时序图如下所示：

代码如下：

void ds18b20_write_zero(void)
{IO_OUT;                    //输出模式DQ_OUT=0                   //拉低引脚delay_us(80);              //延时60-120usDQ_OUT=1;                  //拉高引脚delay_us(2);
}

写1操作

代码如下：

void ds18b20_write_one(void)
{IO_OUT;                           //输出模式DQ_OUT=0delay_us(2);DQ_OUT=1;delay_us(80);
}

读0、1操作

代码如下：

unsigned char ds18b20_read_bit(void)
{unsigned char data;IO_OUT;DQ_OUT=0;delay_us(2);DQ_OUT=1;DQ_IN;delay_us(2);if(DQ_IN)data=1;elsedata=0;delay_us(500);  return data;
}

写1字节

代码如下：

void ds18b20_write_byte(unsigned char data)
{unsigned char i,testb;IO_OUT;for(i=0;i<8;i++){testb=data&0x01;                 //从低位开始写data>>=1;if(testb)ds18b20_write_one();elseds18b20_write_zero();}
}

读一字节

代码如下：

unsigned char ds18b20_read_byte(void)
{unsigned char i,j,data=0;for(i=0;i<8;i++){j=ds18b20_read_bit();data=(j<<7)|(data>>1);      //从低位开始读}return data;
}

开始读取数据

代码如下：

void ds18b20_start(void)
{                                                                  ds18b20_rst();              ds18b20_write_byte(0xcc);   // 跳过ROMds18b20_write_byte(0x44);   //温度转换
}

初始化

代码如下：

unsigned char ds18b20_init(void)
{gpio_init();     //此引脚需根据相应的单片机进行配置ds18b20_rst();
}

.读取温度

代码如下：

short get_tempetature(void)
{unsigned char TL,TH;short tem;ds18b20_start();           //开始转换delay_ms(700);             //等待转换完成ds18b20_init();    ds18b20_write_byte(0xcc);   //跳过ROMds18b20_write_byte(0xbe);   //读取暂存寄存器    TL=ds18b20_read_byte();     //低八位 TH=ds18b20_read_Byte();     //高八位，注意前五位为符号位只有全为0的时候温度是正的     tem=TH;                      //获得高八位tem<<=8;   tem+=TL;                     //获得底八位return tem;
}

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