简述：

符号所代表的涵义如图所示。栅极没有电压截止，给栅极施加电压按绿色箭头方向导通

原理：

N型半导体是4价二氧化硅中掺入5价元素，5价元素中的四个外层电子与二氧化硅形成稳定的共价键，从而半导体表现出多一个电子，整体带负电，取Negative首字母N。

P型半导体是在二氧化硅中掺入3价元素，结合后，表现出多一个空穴，整体带正点，取Positive首字母P。

给两个N型半导体接两个金属板作为漏极和源极，上电后相当于两个二极管，所以是截止的

为了导通，在P区加了二氧化硅绝缘层，外面加上金属片形成了栅极，栅极金属板上电后有电场，吸引电子，把P区电子吸引到金属板附近，把空穴赶走，电压越大，吸引的电子越多

吸引电子足够多，形成N型半导体间通道简称N沟道，使得可以导通

特性1：栅极输入阻抗很高，上亿欧级别。因为有绝缘层存在，几乎完全关闭了电子通道。所以输入基本没有电流

特性2：栅极易被静电击穿。因为栅极输入阻抗高，感应电荷很难释放，产生的高压易把绝缘层击穿，使MOS管永久损坏。失去了绝缘层，形成了栅极和源极电流

组成：

MOS管共有3个脚，栅极G，漏极D，源极S。D极和S极之间一般会有一个寄生二极管，所以，MOS管的符号通常是画成下面这样的。

可以看出，无论是N沟道还是P沟道，寄生二极管的方向总是跟箭头的方向是一致的。

通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。在一般使用中，更多是使用N沟道增强型或者P沟道增强型MOS管，耗尽型的管子比较少使用到。

增强型是指：当 $V_{GS}$ =0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

耗尽型是指：当 $V_{GS}$ =0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。

导通条件：

MOS管从中间极输出电压，来控制其他两个极电流，属于电压控制型半导体。导通是不需要电流，只要栅极G和源极S间提供一定的电压 $U_{GS}$ 就可以导通。

栅极电压大小决定了漏极流向源极电流大小

对于N沟道增强型的MOS管，当 $U_{GS}$ 大于一定值时就会导通，这里所说的“一定值”是指开启电压 $U_{GS}$ ，N沟道增强型 $U_{GS}$ (th)一般是 2~4V 之间。

对于P沟道增强型的MOS管，当 $U_{GS}$ 小于一定值时就会导通，P沟道增强型 $U_{GS}$ (th)一般是 -2~-4V 之间。

使用MOS管做电子开关例子：

在MOS管内部结构里，G极与D极、S极实际上是有一层绝缘层二氧化硅进行隔离的，这就相当于存在一个电容器。所以具有寄生电容，如下图所示：

电阻 $R_{GS}$ 的作用为释放寄生电感的电压

上面电路加入电阻 $R_{GS}$ ，可以对电容的电压进行及时的释放，这样有利于提高电路的可靠性，可以避免G极没有控制信号时误动作。

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