关于二极管与三极管的理解——模拟电路基础
文章目录
- 关于二极管与三极管的理解
- 1、PN结
- 先来认识几个关键概念。
- PN结
- 不通电的时候的PN结
- 正向导通:P区接正电,N区接负电
- 反向截止:P区接负电,N区接正电
- 2、二极管
- 稳压管
- 3、三极管
- 截止状态
- 放大状态
- 饱和状态
- 扩展
关于二极管与三极管的理解
1、PN结
在认识理解二极管三极管之前呢,我觉得很有必要先来认识一下它们的基础——PN结。
先来认识几个关键概念。
1、本征半导体:纯净的晶体结构的硅晶体或者锗晶体。
2、共价键:①在模拟电路基础中,共价键被解释为:晶体中原子排列成整齐的点阵,相邻原子最外层电子成为公用电子,称之为共价键。 这个概念说实话,感觉真的很难理解。好在我们高中都学习过化学,我认为化学中的解释更有助于理解共价键。 ②共价键在化学中的解释:两个或多个原子共同使用它们的外层电子,在理想情况下达到电子饱和的状态(电子饱和状态:对于拥有两个及两个以上电子层的原子来说,指的是原子最外层拥有8个电子),由此组成比较稳定和坚固的化学结构叫做共价键。本质是在原子之间形成共用电子对,或者说共价键是原子间通过共用电子对所形成的相互作用。(扩展:与离子键不同的是进入共价键的原子向外不显示电荷,因为它们并没有获得或损失电子。共价键的强度比氢键要强,与离子键差不太多或有些时候甚至比离子键强)简单来说就是,原子最外层拥有8个电子既是一种特别稳定的状态,不容易遭到破坏。
3、自由电子和空穴:在获得足够的能量的情况下,原子最外层电子获得能量,挣脱了共价键的束缚,变成了自由电子。在共价键中,由于缺少电子,所以就形成了空穴。具体怎么理解我们在具体的图中指出。
4、载流子:运载电荷的粒子。空穴和自由电子都属于载流子。
还有两个非常重要的概念。
5、扩散运动:物质(载流子)总是由浓度高的向浓度低的方向运动。(这个最早接触应该是在高中的生物和化学中,具体为什么会这样我也不知道)漂移运动:载流子在电场力的作用下进行的运动。
6、P型半导体:在本征半导体(硅晶体)里面参杂 少量 的 3价 元素(如:B硼),以替代原有位置的4价元素。所形成的半导体就称之为P型半导体。
由图可见,在P型半导体中,空穴为其多数载流子(简称多子);自由电子为其少数载流子(简称少子)。
7、N型半导体:在本征半导体(硅晶体)里面参杂 少量 的 5价 元素(如:P磷),以替代原有位置的4价元素。所形成的半导体就称之为N型半导体。
由图可见,在N型半导体中,自由电子为其多子;空穴为其少子。
PN结
在模拟电路基础中,对PN结的解释为:采用不同的参杂工艺,将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体上,在他们的交接处就形成了PN结。
不通电的时候的PN结
在PN结中,P型半导体P区存在大量的空穴,而N型半导体N区存在大量的自由电子;由于扩散运动,P区的空穴向N区扩散,N区的自由电子向P区扩散。最后两两结合形成较为稳定的共价键。由于P区+3价的杂质原子失去空穴(+)获得了电子(-),所以P区带负电(-);而N区+5价的杂质原子失去电子(-)获得空穴(+),所以N区带正电(+)。
这样的话,P区带负电,N区带正电,它们之间就会形成一个由N区指向P区的内电场。
在内电场的作用下,产生载流子的漂移运动——P区带负电:吸引带正电的空穴,排斥带负电的自由电子;而N区带正电吸引带负电的自由电子,排斥带正电的空穴。这与扩散运动相反。
当载流子的扩散运动速度等于漂移运动速度的时候,二者就到达一个动态平衡。
正向导通:P区接正电,N区接负电
在PN结外加正向导通电压,相当于在PN结的外围加了一个与内电场相反的外电场。在这个外电场的作用下,扩散运动(扩散运动电流方向为P指向N;电流方向:与自由电子定向移动方向相反)将加剧;原来的漂移运动由于外电场的干涉使得内电场减弱而(漂移运动电流方向为N指向P)被削弱。扩散运动加剧造成P区的多子空穴向N区运动加剧,N区的多子自由电子向P区运动加剧;而原来的漂移运动的削弱意味着少子的运动减弱。那就可以理解为P指向N的电流增强,而由N指向P的电流减弱,做一个简单的加减法,得出在正向导通时,电流由P指向N。
上面差不多是书上对PN结正向导通的解释,仔细阅读还是可以理解的。我个人而言是这样理解的:由于外加电场的加入它抵消了原来的内电场(可以这样理解,但实际上内电场会一直存在只不过减弱了而已),导致整体的漂移运动加剧了,只不过整体的漂移运动方向和扩散运动的方向一致(所以书上就只说了扩散运动加剧),这样多子的运动加剧,就形成了一个大的定向电流。
疑问:对于正向导通,大家很难理解的一点是(其实是我很难理解的一点,我认为最关键的地方还是对电源的理解):P区的多子空穴扩散到N区,N区的多子自由电子扩撒到P区;对于一个二极管来说,P区的多子空穴和N区的多子自由电子数量应该是有限的,随着扩散运动的进行,是不是P区的多子空穴和N区的多子自由电子就大大减少了?如果它们都没有了,那怎么会有较大的定向电流形成呢???
答:正如我问题里所描述的,最关键的是对电源的理解。在我们刚接触电力学的时候,就提到过,电流是自由电子的定向流动所形成的,同样这里也是一样的;唯一的区别在这里加入了空穴的概念,按照我的理解,空穴在原来的电力学当中也是存在的,只不过当时并没有提出来,因为自由电子不在它原来所在的位置(轨道)时,它空下来的位置就是空穴。当PN结形成了P指向N的电流时,按照原来的理解自由电子就从N流向P,再由P流向电源的正极。我们一步一步的来,当P的1个空穴获得1个自由电子形成共价键时,P区相当于就少了1个空穴而N区也失去了1个自由电子;这样下去难免P区将失去所有的空穴,N区将失去所有的自由电子。但是(重点来了),朋友们,这是回路啊!当自由电子到达P区与空穴结合形成共价键的同时,电源的正极也需要自由电子来形成电流回路啊。电源的正极连接着P区,所以P区在获得自由电子的同时也在失去自由电子,所以P区的空穴在电源的作用在是不会减少了,是消耗不完的。而电源正极获得自由电子去了哪里?那自然是电源的负极,负极直接提供给N区它在正极(也就是P区)获得自由电子。因此N区的自由电子在向P区扩散的同时也在电源的负极获得,自然也是不会减少的。
反向截止:P区接负电,N区接正电
同样的道理,由于电源的作用,PN结相当于在外围添加了一个与内电场相同方向的外电场,导致N区带正电,N区吸引了N区的多子自由电子和P区的少子自由电子;P区带负电,P区吸引了P区的多子空穴和N区的少子空穴;中间的空间电荷区(耗尽层)就增大了。多子的扩散运动自然由于外电场力的作用减弱了,而少子的漂移运动却因为外电场的作用力而加剧了。所以电流的大小主要还是源自于少子的漂移运动。但是既然是少子,其数量自然是较少的,所以这个电流就非常非常的小,小到可以忽略不记。所以PN结就可以认为是截至的。
相较于正向导通而言,反向截止确实更容易理解一些。
2、二极管
前面介绍了关于很多PN结的知识,二极管这里我们就不再深究,归根结底二极管也就是PN结的一个最简单的应用。
附上二极管的伏案特性曲线:
稳压管
在二极管中值得一提就是稳压管。
要理解稳压二极管的工作原理,只要了解二极管的反向特性就行了。所有的晶体二极管,其基本特性是单向导通。就是说,正向加压导通,反向加压不通。这里有个条件就是反向加压不超过管子的反向耐压值。那么超过耐压值后是什么结果呢?一个简单的答案就是管子烧毁。但这不是全部答案。试验发现,只要限制反向电流值(例如,在管子与电源之间串联一个电阻),管子虽然被击穿却不会烧毁。而且还发现,管子反向击穿后,电流从大往小变,电压只有很微小的下降,一直降到某个电流值后电压才随电流的下降急剧下降。正是利用了这个特性人们才造出了稳压二极管。使用稳压二极管的关键是设计好它的电流值。
附上稳压管的伏安特性曲线和等效电路:
3、三极管
接下来就是本章的重点了。
关于何为PNP和何为NPN管我这里就不一一介绍了。我们以NPN为例,主要介绍一下对三极管三种工作状态(截止、放大、饱和)的理解。
我记得我最开始学习模拟电路基础的时候,几乎全是死在了对三极管的理解上面。这次为了工作和写这个博客,我又返回来查阅了很多很多的资料,得到了我认为最好的解释。希望可以帮助朋友们更好的理解。
以NPN为例。在三极管中,我们首先要明白几个点,1、发射极电流 Ie = 集电极电流 Ic + 基极电流 Ib;2、在放大的时候,集电极电流 Ic = 放大倍数β x 基极电流 Ib。三极管最厉害的地方也是再此,通过小电流Ib控制大电流Ic。
查阅众多资料的结果是什么呢?那就是将三极管想像为一个拥有一大一小两个阀门的水管。如下图所示:
截止状态
三极管工作在截止状态,就呈现出如下所示的图像:
由于基极没有电流Ib,也就意味着小阀门没有没有打开,小阀门没有打开就导致控制集电极电流Ic的大阀门也没有打开。这就导致发射极Ie没有电流流过,三极管处于截止状态。
对应状态:发射结反偏(Ube<Uod),集电结反偏(Uc>Ub)
这是通俗的最简单的理解方法。
要想从PN结入手理解三极管,那么你就得很熟悉PN结的构造以及工作原理了。当发射结处于反向偏置的时候,自然Ib和Ic是没有电流流过的。有人在想,如果当发射结反偏,集电结正篇呢?我们来看看,如果发射结反偏,那么Ub<=Ue,而集电结正偏,Ub>Uc,电流由Ib流向Ic。既然基极Ib有电流流过,那为什么发射结又是反偏的呢??所以这种情况是不可能发生的。(个人理解:强行这样做会导致基极不会有电流流过。电流最终会直接通过集电区(但自由电子只会被来自发射极的高电平吸引而不会在经过基极),再通过基区,最后通过发射区。由于基区(P区)的杂质很少,且P区很薄,导致P区要么导通的电流很小,可以忽略,要么就是P区承受不起大电流而直接烧毁。想到后面放大和饱和,又感觉这里不太对。。。主要是感觉这里和放大饱和区一样的。等我再仔细区探讨以后再来修改吧。)
所以只要发射结反偏或者说不导通,三极管就处于截止状态。
这个发射结反偏或者不导通可以理解为Ube<0.7(硅管),在水管中可以理解为,Ib(B端或者说小阀门)没有水流或者说水流太小不足以打开小阀门,下阀门没打开,打阀门自然也不会打开。
放大状态
三极管工作在放大状态在水管示意图中倒是很好理解。
如下图:
当小阀门打开在一定范围内(这个范围是:水流B刚好打开小阀门(也等同于大阀门刚打开)到大阀门完全打开)时,它的量总是与大阀门成一定的正比例(放大倍数β)。这就是放大的原理了。
对应的状态为:发射结正偏,发射结反偏(Uc>=Ub)。我是这样理解的。发射结正偏发射极的多子自由电子涌入基区P区的空穴中,一部分通过P区向基极流去,还有一部分,因为集电结的反偏,集电极的N区带正电吸引带负电的自由电子,而直接通过基区的P区到达集电区的N区。从而形成了从集电极到发射极的电流。至于它是如何放大的,可以理解为,因为基区和发射区的电压差增大,导致发射区的大量自由电子快速的移动到基区P区,而对于基极来说,它能接收或者说通过的自由电子数量是有限的增加的。主要增益还是体现在集电极N区对从扩散到基区的自由电子的吸附作用(也就是漂移运动,但这里,做漂移运动的自由电子不再是基区P区原来的少子了。由于发射极N区扩散来的自由电子数很多,导致了P区的自由电子不再是原来的少子,可以形成一个比较大的电流)
饱和状态
这个饱和状态在这个水管模型中也是很好理解的,就是大阀门完全被打开了。即使小阀门再怎么开大一点,也不会对从C流下来的水流有什么影响。
对应的状态为:发射结正偏,集电结正偏(并不是真正的导通,当然导通时也是在饱和状态,只是Uc<Ub)。
关于饱和状态,其实我认为是三级管三种状态中最难理解的一种。
有如下几个点需要注意:
1、过于在意“集电结正偏”了。其实,在饱和区,即便是集电结正偏,也还没有达到集电结的正向导通电压。不过,一般人都会被“正偏”误导。
2、饱和的含义:集电极电流是随着基极电流的增大而增大的,当集电极电流增大到一定程度时,再增加基极电流,集电极电流不再随着增加了,这种现象就叫做饱和。而“三极管如工作在饱和状态,那么就是双结正偏”是现象或因果关系,也不算解释。饱和的实质正是由于集电结正偏而使Ic脱离了与Ib的线性关系。
3、三极管的饱和状态,是包括Ic趋于0的状态的,这一点可以这样理解。将各端的电压比作是水源,当C端的源头根本就没有水源或者水源很少时,那么Ic很快就会进入不受Ib的控制区域,C的水源越小,那么Ic就越趋近于0。
4、通过给三极管发射结加上正向导通偏压,同时给集电结加上正偏,三极管一定是在饱和区(一定不在放大区,包含Ic为零的情形)。
简单的技巧:三极管上箭头所在方向的二极管,只要二极管正向导通,那么三极管上下就能导通。
扩展
按理来说,正偏(+)、反偏(-)对应得应该有4种状态(不是严格意思上的正偏反偏)。这里却只有三种(- -)、(+ -)、(+ +)。那么另一种(- +)呢?虽然我没有去验证过,但事实却很明显,PNP管对应的三种状态应该与NPN管对应的三种状态相反。
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