关于SDRAM的full page burst

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1、micron官方的datasheet指出BURST TERMINATE和PRECHARGE都可以终止当前突发。
2、full page burst不支持自动precharge。
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3、对于full page burst write，需要BURST TERMINATE和PRECHARGE组合使用。
即Trcd+BL+1(发出BURST TERMINATE命令)+Twr+Trp(发出PRECHARGE命令)
4、对于full page burst read，只需要PRECHARGE命令。

刚开始不理解，后来参考http://blog.sina.com.cn/s/blog_48fd99310102vuas.html终于明白了。
SDRAM内部储存单元相当于“口线供能电容”，此电容容量远比数据存储电容大，用于给口线的读写驱动提供能量，器件数据位宽是几位就只需要几乘以4个（4来源于有4个banks）。
初始化按照要求就先precharge了，以后每次读写之前都要active。active做两件事，既选通了相关行，又将驱动的能源准备好。
当具体读写时，就选通列，给数据电容充电或放电。1个burst读写完成后，就回到precharge，给“供能电容”补足电能。因为“供能电容”在active时要被消耗能量并且也存在自漏电问题，所以有了资料上的（active to precharge command）tRAS<120微秒的要求(时间有最大最小的要求，最大时间要求小于120K ns,如果时间太长，电都放完了)。
处于precharge时，“供能电容”是一直接着电源储能的，precharge执行完以后，储能完毕，断开电源。如果不对当前行active操作，在64ms内必须autorefresh一次，不然电也放完了。
因为“供能电容”比较大，从硬件设计角度出发充电电流不能做太大，所以tWR(数据回写等待时间)和tRP就相对要长。
真正的顺序是precharge-〉active-〉读写-〉终止，因为tRP较长，所以初始化时先precharge，并且每次读写完后马上precharge，以便下次读写时只需active以提高响应速度，反正放在那precharge又不影响什么。这就是precharge（预充电）的真正含义所在！（
预的含义一下子就明白了。至于何必这么麻烦要“供能电容”倒一手，可能是因为数据单元太脆弱，经不起电源直接冲击或干扰，呵呵。而且根据动态内存原理，数据线复用，反正必须先active选通行，顺便再附加个供能功能；而burst需要终止，特别是页模式更不会自动终止，那么就将“终止”和“预充电”合并到“precharge”，设计人员真会动脑筋。而资料只管说终止功能，没提预充电的作用，反正时序是通的。
想出所谓“供能电容”的还有个原因是：有两个和时钟无关的长时间参数，刷新周期64ms，tRAS 120微秒，不都是电容漏电的体现吗。所以内存可以降频使用，但不能太低，以至于64ms内你只能完成4096次刷新，别的什么都没时间干；或者tRAS期间你连1次读写或写都完不成。
至于refresh，就是1次先读后写的过程，用于保持数据电容的电位。如果在自己的系统中，特别是数据采集系统，1组数据流在64ms内完成了先写入sdram暂存后读入主机，并且sdram中的数据就不再需要了，整个过程不需要插入任何刷新命令。延伸开来，可以做出很适合你的最简单的sdram控制器。做个基本的SDRAM控制器很简单，关键是要根据你的系统特点合理安排好读、写、刷新等操作。
注意，这里还需要用auto precharge命令，因为有tAC的问题。
在“auto refresh”命令执行的末端隐含了“precharge”，所以资料上要求“auto refresh”前要保证已经“precharge”，因此“auto refresh”之后却直接可以“active”而不再需要“precharge”。还可能在“auto refresh”命令执行的前端隐含了“active”，行地址由刷新寄存器自动计数并加1。“auto refresh”就是对某行所有列同时 “active”“read”“write”“precharge”，正好7个周期。器件共有4096行，所以要求在64ms内刷新4096次，4个banks是并行同时操作的，所以资料显示耗电高峰发生在自动刷新期间。实际上read已经隐含了write，就是一次完整的读或自动刷新操作的第5个周期，时序正好吻合。不同的是自动刷新的第5个周期不需对外在DQ上输出。
充电放在前面叫charge，放在后面是为下一次操作提前做好准备就叫precharge，根据前面分析prechage能提高断续操作的响应速度，所以最终设计就采用了“precharge”。

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