关于IGBT的有源钳位技术,也有称Vce钳位,VceClamp,区别于有源米勒钳位。
  这里推荐一篇文章,值得一看:IGBT应用技术之有源钳位详解
  典型的有源钳位电路通过TVS直接引入负反馈到栅极,如下:

  这种方式有如下缺点:

  1. 关断时驱动信号钳位在-8V(图中推挽驱动下管打开),如果想调慢关断速度达到Vce钳位的目的,TVS需要提供很大的反馈电流。因此需要大功率的TVS,价格先不谈,拉个高压的TVS看看:



当反向电压达到492V~543V时,TVS开始击穿,这个偏差已经很大了(51V),当电流继续增大,这个电压还会变大,0.9A对应最大钳位电压713V。也就是说,这个TVS用在IGBT有源钳位中,钳位电压的范围很宽,最终能钳位的电压更宽(543V ~ 713V)。这还是不考虑器件散差,温度等等因素。这里还要注意一点,0.9A的电流能够在栅极驱动回路上产生一定压降,不然完全被推挽下管旁路,调节效果一般。
2. 这种反馈方式加大了IGBT的Crss(反向传输电容)。简单理解一下,Crss是IGBT控制回路与被控制对象(功率回路)的耦合电容(通过dv/dt耦合),我们当然希望被控对象不要干扰控制回路,也就是说这个电容越小越好。问题来了,TVS的结电容无疑加大了Crss。尤其是高压系统中每次开关的dv/dt造成的Crss充放电电流相当可观,会影响正常的开关过程,也就是说,即使TVS没击穿,但TVS的结电容引入的反馈可能已经起作用了,导致开关过程都变慢,增加开关损耗。如果驱动芯片有米勒钳位功能,可能还会损坏米勒钳位的MOS。高压TVS的结电容在几十个pF。


  综上,如果非得用这种方式,首先要评估关断路径的阻抗,需要TVS反馈多大电流才能使钳位起作用,然后选择合适电流的大功率TVS。然后,选用TVS串联是一个很好的方式,首先能降低结电容,其次,器件都是正态分布的,串联个数越多,理论击穿电压越准。
  还有一种办法,将反馈连接至驱动芯片,利用驱动的推挽输出能力来缓慢关断IGBT,达到Vce电压尖峰钳位的目的。这种方法不需要大功率的TVS,只需要一个小信号能反馈即可。另外这种方式对栅极电阻没有要求,可以在不增加开关损耗的前提下进行有源钳位。就看所选的驱动芯片是否有该功能了,有的话一定要利用好。

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