MIM,MOM和MOS电容的区别

ic layout经常会遇到这三种电容： MOS， MOM ， MIM

MOS 电容：两端结构的mos管，电容值不精确，可以实现随控制电压变化而变化的容值，上下极板接法不可互换。

MOM 电容：finger 插指电容，即利用同层metal边沿之间的C。为了省面积，可以多层metal叠加，PDK中metal层数可以选择。一般只在多层金属的先进制程上使用，因为是通过多层布线的版图来实现的，但得到的电容值确定性和稳定性不如MIM，一般可能会用在那种对电容值要求不高，只是用到相对比值之类的应用。上下极板接法可互换。

MIM 电容：类似于平板电容，电容值较精确，电容值不会随偏压变化而变化，一般制程上用mTOP l & mTOP -1 来做，电容值可以用上级板面积*单位容值来进行估算，上下极板接法不可互换，一般用于analog，RF工艺。

相同面积的三个电容，电容值 MIM<MOM，MIM约是1/3 MOS电容值.

MOM电容优势在于不需要额外mask，MIM需要额外mask和工艺才能实现。

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