电容应用:MOSFET的门源极并联电容
MOSFET门 源极并联电容后,开关可靠性得到提升
- 开关电路如下图
- 电路解释
开关电路如下图
电路解释
1.该电路用于高边开关,当MOS_ON 网络拉低到地时,开关Q1导通;
2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V左右,以保护Q1;
3.C2作用为滤除MOS_ON上的干扰以及延缓Q1上下电时间,如下图:分别为添加电容和不添加电容Q1门极电压变化情况
结论:通过在开关g s 并联电容,可以有效提升开关mosfet抗干扰能力,尤其在mosfet需要通过外部按键使能的应用,另外并联的电容可以有效滤除由于控制抖动导致的电源开关关断
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