P型半导体,N型半导体,PN结原理简述
前置知识:
半导体器件是构成各种电子电路的基础。而半导体的器件主要是由半导体材料制成的:如硅和锗。
为什么要使用半导体材料作为器件?
这就跟半导体的特性相关,需要一些初高中的化学基础:在元素表中,元素周期表左边的元素(带金字旁的)被称为金属,右边的被称为非金属。
- 金属:导电性和导热性好。
- 非金属:不易导电和导热。
硅和锗的电学特性介于金属和非金属之间。在硅和锗的晶体中,每个原子和周围的4个原子以共价键的形式紧密的联系在一起,形成整齐的晶格。
那金属元素是怎么导电的?
以元素的原子结构示意图来表示:
原理简述:
- 最外层8个电子的结构叫做稳定结构(特殊的是稀有气体中的氦是最外层2个电子)。
- 金属原子最外层电子数<4易失电子。
- 非金属原子最外层电子数≥4 容易得到电子,化学性质不稳定。4个电子正好是8个的一半,是一个比较稳定的结构,所以很难得或失电子,形成化合物时一般是共价键(如二氧化硅SiO2)。
金属例如钠元素:由钠元素的原子结构示意图可知该原子的最外层电子数是1,小于4,所以在化学反应中易失掉去电子(电子带负电),形成钠离子,带1个单位的正电荷。
而对于非金属的元素,如磷P,最外层电子数是5,大于4,在化学反应中得到电子,带3个单位的负电荷。
作为半导体的材料硅Si和锗,在硅和锗的晶体中,每个原子都与周围的4个原子以共价键的形式紧密的联系在一起,形成整齐的晶格,如下图:
其他重要概念:
1.空穴:在一定的温度下,硅晶体形成一个自由电子的同时会产生一个空穴, 即空穴和电子成对出现,如下图:
2.本征半导体:纯净,不含杂质,晶格完整的半导体被称本征半导体。
在本征半导体中,晶体的共价键的结合力很强,在热力学温度T=0K(相当于-273℃)时,晶体中不存在能够导电的载流子(载流子:带有电荷、并可运动而输运电流的粒子,包括电子、离子等。半导体中的载流子有两种,即带负电的自由电子和带正电的自由空穴。因为本征半导体中自由电子和空穴是成对出现的,所以一样多,浓度相同)。
但是温度升高,如室温下,少数的价电子会克服共价键的束缚成为自由电子(所以本征载流子的浓度对温度非常敏感),本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度,克服共价键形成的自由电子的数量很少,所以本征半导体的导电能力很弱。
3.杂质半导体:在本征半导体中掺入特定的杂质,就成为了杂质半导体。与本征半导体相比,杂质半导体的导电能力发送了质的变化,大大的提高了导电能力。杂质半导体分为N型半导体和P型半导体。
N型半导体
在4价的硅中掺入了少量的5价杂质元素,磷,锑,砷等,最外层5个价电子,与硅原子结合成共价键时,会多出一个电子,这个电子不受共价键的约束,在室温下会变成自由电子,5价的杂质原子提供电子,被称为施主原子。所以在N型半导体中,电子的浓度大大高于空穴的浓度,主要靠电子导电,所以被称为电子型半导体/N型半导体,N是nagative的意思,N型半导体中的电子被称为多数载流子,空穴被称为少数载流子。
P型半导体
在4价的硅中掺入了少量的3价杂质元素,硼,镓等,最外层3个价电子,与硅原子结合成共价键时,会缺少一个价电子,常温下会从其他位置的共价键中夺取一个电子(得到一个电子),使得杂质元素对外呈现负电荷,形成负离子,同时生成一个空穴。所以在P型半导体中,空穴的浓度远远大于电子的浓度。主要靠空穴导电,所以被称为空穴型半导体/P型半导体,P是positive的意思。3价杂质原子起着接受电子的作用,被称为受主原子。P型半导体中的空穴被称为多数载流子,电子被称为少数载流子。
总结:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要决定掺入的杂质浓度,少数载流子的浓度与温度相关。如N型中的杂质磷越多,那么多数载流子越多,浓度就越高。空穴是少数载流子,已经形成了共价键,所以跟温度关系比较大(就跟本征半导体的一样)。
注意:无论是P型还是N型半导体,总体的仍然还是保持的电中性。
PN结
将半导体的一侧掺杂P型半导体,另一侧掺杂N型半导体,在交界处会形成一个PN结。
在交接处的电子和空穴的浓度相差较大,所以N区中的自由电子会向P区扩散,同时,P区中的空穴也会向N区扩散。(扩散是因为浓度差)于是,就在交接面两侧形成一个不能移动的,正,负离子形成的空间电荷区,也就是PN结。由于空间电荷区缺少可以自由运动的载流子,所以又称为耗尽区。
由于多数载流子的扩散运动,电子和空穴因复合而消失。空间电荷区只剩下不能参加导电的正,负离子,破坏了P区和N区的电中性,所以P区带负电,N区带正电,两者之间产生了电位差U,称为电位壁垒。电场方向为:N区——>P区,也被称为内电场。内电场的作用是阻止多数载流子继续扩散,利于少数载流子的运动(漂移运动),内电场也被称为阻挡层。
在PN结中,扩散是因为浓度差(多子向少子运动),漂移是指的载流子在电场作用下的定向运动。
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