MOS管米勒效应的罪魁祸首--Cgd
谈到MOS管的米勒效应,肯定绕不开栅-漏极电容Cgd的影响。这里面涉及一个重要计算,今天和大家一起讨论下。
1、一道问题
照例,先抛出一个问题:在MOS管的等效电路中,栅-漏电容Cgd等效到输入回路中的容值是多少?推导过程是怎样的?
这道题的难点在于推导过程,这需要同学们理解,而不是死记硬背。
2、等效电路
为便于理解,我们以带有栅极偏置的共源极放大电路作为分析对象。如下图所示,首先画图其直流通路,比较简单,这里我们不做过多分析。
接着,我们画出其交流通路。注意,这里我们使用的不是MOS管的低频小信号模型,而是高频小信号模型。
因为在低频模式下,我们是通常是忽略结电容的影响。高频模式下,交流通路如下图所示。
可能会有同学问了,这里和三极管的交直流通路很像。对的,确实相似,因为两者存在很多相通性。所以在学校里,很多老师只讲三极管放大电路,MOS管放大电路是自学部分。三极管部分,不清楚的同学可以回看《终于把共射放大电路不放大的原因说清楚了》,不做赘述。
3、以电流为切入点
细心的同学会发现在上图中标注了Ig,Ig1和Ig2,其中Ig1是流过Cgs电容的电流,Ig2为流过Cgd电容的电流,而Ig是Ig1和Ig2的干路总电流,Ig=Ig1+Ig2。
在上图中,Ig1=jw*Cgs*Vgs,Ig2=jw*Cgd*Vgd。相信这点,同学们很容易理解。
当前的关键点在于Vgd是多少?
根据基尔霍夫电压KVL定律,有如下关系推导:
令RL'=Rd//RL,则有:
如此,
而,
对比Ig2和Ig1的关系式,可以引入电容Ceq,有:
Ceq在输入回路中的电流,有:
于是,Ceq可以看做是Cgd在输入回路上的等效电容,此时的容值已经放大了(1+gmRL')倍。
当年的小喽喽(Cgd),在输入回路中,摇身一变已经成为别人口中的大哥,举足轻重,不容忽视了!
4、总 结
今天聊的内容,相对简单,只是作为上一篇《MOS管的米勒效应(1)》的补充,重点说明了栅-漏电容Cgd等效到输入回路的定量关系及其推导过程。
最后附上整个的推导过程,详见下图。
希望今天讨论的内容对你有用。预告下,下一篇讲MOS管米勒效应的仿真。
怎么样?一个简短的问题,给出的回答可浅可深。我的助攻只能到这里,能否晋升到陆地神仙境,一剑开天门,就看你的造化了!
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