名词解释

NAND Flash:半导体闪存

HDD：机械硬盘

FW:固件

Peak Power:峰值功率

Active Power:读写功耗

Idle Power:空闲功耗

standby/sleep Power Dev Sleep Power:SSD内部休眠功耗

RAM:掉电丢失数据

FGT:浮栅晶体管

FormFactor:尺寸标准件

AFA:全闪存整列

性能测试

性能测试工具：IoMeter、FIO

连续读写吞吐量：Throughput

随机读写：IOPS

访问模式

Random 随机 Sequentiall连续

SSD的操作流程：

主机 -> 写命令 -> 收Data到Chash -> FLT发出写闪存请求 -> 写出命令

注意：闪存不能履写，闪存块需要先写擦后写

SLC：1bit数据闪存(电压区分，高0低1)

MLC：2bit数据闪存（电子数区分）

TLC：3bit数据闪存

DIE/LUN是接收和执行闪存命令的基本单元： LUN>Plane>Block>Page

FTL

FTL是Flash Translation Layer(闪存转换层)

**闪存块的重要特性：**地址映射、垃圾回收、磨损平衡、坏块管理、读干扰处理、数据保持处理

闪存块（Block）需要先擦除后写入，不能覆盖写（Update in Place）。FTL还需要做垃圾回收：把若干个闪存块上的有效数据搬出，写到某个新的闪存块，然后把之前的闪存块擦除（GC,Garbage Collection,垃圾回收）
磨损均衡（Wear Leveling）让数据写入均摊到每个闪存块上，让每个闪存块的磨损保持均衡，保证SSD实现最大的数据写入量。闪存块的寿命使用PE（Program/EraseCount）进行衡量。
避免读干扰
数据保持（Data Retentuion）：上电后扫描全盘，搬动刷新数据
坏块管理
MLC\TLC的特殊处理：避免Lower Page数据被Upperpage/ExtraPage写入时破坏；改善性能和可靠性；

FTL也可以区分主机端和设备端两种实现

映射管理

使用LBA（Logical Block Address，逻辑块地址）访问SSD。

映射表可以放在板载DRAM、SRAM和闪存中，HMB技术：NVME1.2>版本可以将映射表放置在主机的DRAM中

映射表刷新：新产生的映射关系累计到达一定阈值、用户写入的数据量达到一定阈值、闪存写完闪存块的数量达到一定阈值

垃圾回收GC

一般选择每个Die上块号一样的所有闪存块做垃圾回收

写放大：WA

Trim

数据作废指令

磨损平衡

冷数据：不经常更新；热数据：更新频繁

新老块：擦写次数

动态磨损平衡（DynamicWL）：把热数据写到年轻的块上

静态磨损平衡（StaticWL）:冷数据写到老年的块上，一般使用GC机制实现

冷热数据混合写会导致性能下降，写放大

掉电恢复

掉电前需要完成的工作：把buffer中缓存的用户数据刷入闪存；把映射表刷入闪存；闪存的快信息写入；SSD的其它信息写入；

在掉电之前设置Checkpoint（快照点），在快照点写入当前状态信息、映射表、缓存数据等。

坏块管理

坏块的来源：出厂坏块、增长坏块（后期使用产生的坏块），坏块的第一个闪存页和最后一个闪存页数据区的第一个字节和Spare区的第一个字节会被写上一个非0XFF的值。或者单独建立坏块信息表

坏块管理：略过（Skip）、替换（Replace）替换模式需要在每个Die上分配预留空间

SLC Cash

将MLC或者TLC中的部分闪存块配置成SLC模式：性能、防止LowerPage数据被破坏、解决闪存缺陷、更多的数据写入量

强制写入：用户数据必须先写入到SLC闪存块，然后通过GC搬到MLC/TLC

RD&DR

RD：电子从基底进入浮栅极，使电子翻转（1到0）（高电平为0，低电平为1）

DR：栅极电子穿过绝缘材料，使比特翻转（0到1）

DeviceBasedFTL

1）主机驱动：为应用程序提供读写接口，和板载控制器通过NVMe等协议进行交互

2）板载控制器：

通过SATA\NVMe等协议接收主机发送的命令并执行
管理SSD，实现FTL垃圾回收磨损平衡等算法
控制和实现闪存时序

3）闪存阵列：存储介质

ECC

纠错的核心是通过增加冗余信息，使得原始信息的编码之间有足够大的区别

奇偶校验（Parity-Check）

校验矩阵H 和生成矩阵G

LDPC (Low Density Parity-Check Code)

低密度奇偶校验：正则LDPC保证校验举证每行有固定J个1，每列有固定K个1，非正则LDPC无此限制

eMMC

系统特性

eMMC = MMC标准接口 + MMC控制器 + NAND Flash

JESD84-B51，它规范了总线接口以及控制芯片，而对在系统架构中的主机和存储阵列部分的内容并没有未完全规定。

上电：确定工作模式，通信速率

内部结构：控制器+nanoflash

供电：VCC\VCCQ

总线：cmd dat clk ds

eMMC的总线由11条信号线组成：

1条时钟信号线（CLK）：用于从主机输出时钟信号，进行数据传输的同步和设备运作的驱动。
1条数据选通信号线（ Data Strobe ）：在eMMC 5.0中引入的一根时钟信号线。它是由eMMC发送给主机的，且频率与时钟线相同，用于和主机端进行数据接收的同步。该信号线只能在HS400模式下配置启用，启用后可以提高数据传输的稳定性。
1条命令信号线（CMD）：是双向命令通道信号线，用于主机向eMMC发送命令以及eMMC向主机回传应答。CMD线在上电后都是保持高电平状态，因此命令和应答数据的起始位都是“0”
8条数据信号线（DAT０-7）：用于主机和eMMC之间的数据传输。在设备上电或者软复位后，只有DAT0可以进行数据传输，在eMMC完成初始化后，可通过命令CMD6配置DAT0-3或者DAT0-7进行数据传输，即将eMMC配置为 4 bits或者8 bits传输模式。

eMMc控制器

协议
擦写均衡
坏块管理
ECC校验
电源管理
时钟管理
数据存取

初始化

1、上电，进入到pre-idle状态

1）软件复位，设备收到从主机发来的GO_PRE_IDLE_STATE命令（参数为 0xF0F0F0F0的CMD0）；

2）硬件复位，可以通过主机拉高RST_n信号线来触发。

２、eMMC确认是否需要进入引导模式

3、eMMC进入引导模式

5、idle状态： eMMC在退出引导模式后，会进入到设备识别模式中的idle状态。如果没有启用引导模式，上电、硬件重置或软件重置后，都会使eMMC进入 Idle状态。

eMMC完成内部初始化后，会进入Ready状态。主机可以通过发送CMD2广播命令获取总线上所有进入Ready状态的eMMC的CID。

主机发送CMD3赋予这个eMMC一个相对设备地址（RCA），使设备进入到Stand-by状态。

cmd0\1\2\3\7

设备状态切换

帧格式

cmd response data

命令及响应

命令：启动一种操作的token，从主机发往设备。命令在CMD线上串行传输。

应答：从设备发往主机作为对上一命令回答的token。应答在CMD线上串行传输。

数据：数据线数可以是1（DAT0）、4（DAT0-DAT3）或8（DAT0-DAT7）

CMD线在上电后都是保持高电平状态，因此命令和应答数据的起始位都是“0”

命令格式：

e•MMC总线数据传输包括命令、应答和数据块结构token。数据传输是总线操作。操作总是包含一个命令和一个应答token。此外，某些操作有数据token。

**数据格式：**在所有的数据传输模式下，数据块的传输模式都比较相近，主要又四个部分组成：

S t a r t B i t ( 0 ) + D a t a + C R C ( 0 ) + S t o p B i t ( 1 ) StartBit(0)+Data+CRC(0)+StopBit(1) StartBit(0)+Data+CRC(0)+StopBit(1)

emmc的命令由48bit长度组成，固定以0开始，以1结束，其中的data包含：

transmiter bit：表示数据传输的方式，1代表 host to device ；

command index ：使用6个bit指示了command的索引，取值范围是0~63

argument ：指代command需要附带发送的参数，具体是否要带参数看具体的command是什么CMDx指令。

CRC7 ：包含前面各个部分的数据CRC校验值。接收方如果收到的CRC校验值和计算值不同则会视为传输数据错误。
eMMC将command index(0~56)分成12个class，每个class代表一类功能，包含所有commands的一个子集。具体某一个设备支持哪些class的命令，可以通过CSD寄存器的CCC[95:84]feilds来查询，如bit84为1则表示支持class0。

命令分来	描述	note
class 0	basic	基本命令
class 1	obsolete	废弃
class 2	block read	块数据读相关命令，包括设置块长度、读取单块、读取多块
class 3	obsolete	废弃
class 4	block write	块数据写相关命令，包括设置块个数、写入单块、写入多块、修改设备id寄存器、修改CSD、设置RTC
class 5	erase	设置擦除组开始地址、设置擦除组结束地址、擦除操作
class 6	write protection	设置写保护、清除写保护、获取device的写保护状态、获取写保护类型
class 7	lock device	lock/unlock device
class 8	application-specific	指示下一个命令是一个特定应用命令而非标准命令
class 9	I/O mode	写寄存器、设置系统进入中断模式
class 10	security protocols	连续传输数据块从device to host或从host to device
class 11	command queuing	执行队列里的任务

寄存器

***OCR：***工作条件寄存器，存放设备的电压信息概况和访问模式；

***CID：***设备识别寄存器，存放设备在识别阶段所使用到的设备识别信息。每个设备都有一个独一无二的识别号；
***RCA：***相对地址寄存器，存放设备在识别阶段主机分配的设备地址。此地址用于设备识别之后主机与设备之间的寻址通讯；
***CSD：***数据寄存器，寄存着设备内容访问方式的信息，其中定义了数据格式、读写数据块的大小、最长数据访问时间、数据传输速度、DSR寄存器是否可用等。
***EXT_CSD：***扩展数据寄存器，定义了设备属性和选定的模式。它长512 字节，高320位字节是属性段，定义了设备能力，不能被主机更改。低192位字节是模式段，定义了设备的工作配置。主机可以通过SWITCH命令（CMD6）改变这些配置。
***DSR：***驱动寄存器，用于扩展操作条件以提高总线性能（取决于总线长度、传输速率或设备数等参数）
***QSR：***队列状态寄存器，存储着在特定时间点队列中的任务状态。

正常读写

主机可以通过命令CMD7，将指定的eMMC从Stand-by状态切换到Transfer状态，然后对eMMC进行读写操作。

主机向eMMC发送读取命令后，eMMC会根据命令参数，向主机发送对应的数据块，发送结束后，eMMC会重新进入Transfer状态

主机向eMMC发送写入命令后，eMMC会根据命令参数，接收从主机发来的数据块，每接收一个数据块，eMMC都会进行CRC校验，校验无误后，eMMC会进入Programming状态，将数据块烧录进NAND Flash里，同时还会将DAT0信号拉低，直到烧录结束。烧录结束后，eMMC返回到Transfer状态。

DAT有两种传输模式：

SDR（Single Data Rate,1个时钟内传1bits）
DDR（Double Data Rate,1个时钟内传2bits）

在DDR双倍数据率模式下，DAT线在时钟的上升沿（奇数字节 Byte 1,3,5 …）和下降（偶数字节Byte 2,4,6 …）沿都会传输数据。

每条DAT线上都有两个相互交织的CRC16：

上升沿的CRC组成 odd CRC16，用于校验该DAT线上所有上升沿比特组成的数据。

下降沿的CRC组成even CRC16，用于校验该DAT线上所有下降沿比特组成的数据。

emmc分区

内部的存储空间被划分为了4类区域，最多可以支持8个硬件分区

***Boot Area Partitions：***启动区域分区，存储Bootloader，支持SOC从emmc启动

boot state: Power-up、HW reset 或者 SW reset 后满足条件进入

RPMB Partition 安全特性分区

GeneralPurposePartition 可选分区，可以为分区设置一些额外的属性，比如：提高该分区的读写性能、寿命以及稳定性或者将这些用来作为存放操作系统类的、很少进行擦写更新的分区等。

User Data Area 用户存储区域

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