Zeloof 自制芯片工艺

Sam Zeloof 自制出的Z2芯片。

Zeloof开始了集成电路的设计与制造研究，先从FET器件做起，然后在2018年高三器件做出了第一个第一个自制集成电路—Z1放大器。Z1 有 6 个晶体管，是开发所有工艺和设备的绝佳测试芯片

我设计Z1放大器是为了寻找一个简单的芯片来测试和调整我的工艺。在MagicVLSI中完成了4个掩模的PMOS工艺（有源/掺杂区、栅极氧化物、接触窗口和顶部金属）的布局。就避免离子污染而言，PMOS 比 NMOS 更具优势，这使其能够在车库中制造。掩模被设计成16:9的长宽比，便于投影光刻

在水蒸气环境中（湿式氧化），现场的氧化物被热增长到5000-8000Å的厚度。人们可以考虑在此步骤中把去离子水与百分之几的盐酸混合。氯化物原子有助于获取和固定离子污染物，据说还能使生长率提高5-7%。再加上我正在制造PMOS器件而不是NMOS，这些都给污染控制带来了巨大的优势，并允许在车库里制造出性能良好的器件

参考：Sam Zeloof

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