NOR闪存 NAND闪存
读写基本单位
存储介质 随机存储介质,适用数据量较小的场合 连续性存储介质,适合数据量较大的场合
读写性能 读速度比NAND闪存快一些 NAND的写入速度比NOR快很多
擦除速度 擦除NOR器件时在64~128KB的块进行,执行一个擦除/写入操作的时间约为5s 擦除NAND器件在8~32KB的块进行,执行一个擦除/写入操作最多只需要4ms
擦除单元 擦除单元多,擦除电路多 擦除单元少,擦除电路少
数据线和地址线 地址线和数据线公用,对读写速度有影响 数据线和地址线分开,读写速度更快一些
操作对象 不晕血对一个字节甚至一个块进行数据清空,只能对一个固定大小的区域进行清零操作 可以对字进行操作。在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要比NOR闪存快
可靠性 接口简单,数据操作少,位交换操作少,因此可靠性较高 接口和操作均较复杂,位交换操作较多,可靠性较低一些
易用性 可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。 由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。
实际应用 数据/程序存贮应用中选用NOR型闪存。 大容量的多媒体应用中选用NAND型闪存

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