NOR闪存和NAND闪存的读写特点总结归纳(对比分析)
NOR闪存 | NAND闪存 | |
---|---|---|
读写基本单位 | 字 | 块 |
存储介质 | 随机存储介质,适用数据量较小的场合 | 连续性存储介质,适合数据量较大的场合 |
读写性能 | 读速度比NAND闪存快一些 | NAND的写入速度比NOR快很多 |
擦除速度 | 擦除NOR器件时在64~128KB的块进行,执行一个擦除/写入操作的时间约为5s | 擦除NAND器件在8~32KB的块进行,执行一个擦除/写入操作最多只需要4ms |
擦除单元 | 擦除单元多,擦除电路多 | 擦除单元少,擦除电路少 |
数据线和地址线 | 地址线和数据线公用,对读写速度有影响 | 数据线和地址线分开,读写速度更快一些 |
操作对象 | 不晕血对一个字节甚至一个块进行数据清空,只能对一个固定大小的区域进行清零操作 | 可以对字进行操作。在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要比NOR闪存快 |
可靠性 | 接口简单,数据操作少,位交换操作少,因此可靠性较高 | 接口和操作均较复杂,位交换操作较多,可靠性较低一些 |
易用性 | 可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。 | 由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。 |
实际应用 | 数据/程序存贮应用中选用NOR型闪存。 | 大容量的多媒体应用中选用NAND型闪存 |
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