一、基本概述

电源说明,对于产品,电源是心脏,源源不断的输送能量。

常规电源:

1、AC TO DC

将110V或220V市电转换为3.3V,5V,12V,24V等,通常使用电源模块;

2、LDO线性电源

低噪声,通常给单片机、模拟IC等器件供电

3、BUCK降压开关电源

通常作为产品内部主电源,将外部输入的直流12V或其他电压降为5V,3.3V等电压,供内部器件使用

4、BOOST升压开关电源

通常将电池等低压升至5V,12V等,供外设使用

电源架构思路:

12/24V电源输入 -> BUCK降压电路降为5V(大电流如4A、3A) -> LDO生成电压3.3/2.5/1.8等等;

二、TL431三端稳压管

1、器件说明

如下图,TL431是高性价比的分流式电压基准,特性如下:

a、高精度电压基准输出。3个等级,0.5%(B极)、1%(A极)、2%(标准)

b、可调电压输出支持Vref至36V

c、内部允许1-100mA电流

d、动态输出电阻低至0.2Ω

e、低噪声,低温漂

2、工作原理

就是参考电压会与内部的基准电压2.5V比较,如果比2.5V高,就增大内部电流,如果比2.5V低,就调低内部电流;

3、应用电路

上图中,将参考点与负极接在一起,直接与基准值相连,线路电压比2.5V大,就会提高TL431的电流,R13的电压就会增大,基准点的电压就下降;

关于R13电阻的选取,TL431可通过电流为1-100mA,9mA左右

还可以调节输出电压,通过如下电路图

三、LDO

LDO的特点就是输入电流和输出电流相等;

1、工作原理

a、由上图可知,内部误差放大器通过控制开关管的导通程度实现稳压,输出纹波小,无开关噪声

b、LDO属于线性电源,输出电流等于输入电流,发热功率=电压差*电流,转换效率=Vo/Vi

c、LDO不适合电压差过大的场合,比如输入24V,输出3.3V,如果电流20mA,发热功率=(24-3.3)*0.02 = 0.54W,效率只有13.75%

d、LDO不适合电流大的场合,电流大,发热功率相对较大,同时,压差大,可能导致电压下拉,具体看datasheet的电压降,比如1V/1A(电流1A时,压降最少1V,此时,如果输入4V,输出最大只能3V)

e、根据经验,SOT-23封装,发热功率不超过0.3W;SOT-89,发热功率不超过0.5W

f、如果发热功率过大,可以考虑使用BUCK降压电路,必须使用LDO的话,可以串联电阻,分担一部分功耗,但需要注意LDO电压降必须满足要求;

2、选型依据

a、输入输出电压 -决定了最大电压差

b、输出电流-评估带载能力,电压差

c、静态电流- 低功耗考虑

d、品牌,成本

e、封装,发热功率(电压差*输出电流)

3、手册阅读

四、BUCK降压电路

1、拓扑结构

2、工作原理:

开关S将输入电压Vin斩波成PWM波,再通过LC滤波器输出直流电压Vout,调整PWM波的占空比,即可得到不同的输出电压

Vout = Vin *D D--占空比

环路一:开关闭合的电流路径;环路二,开关断开时的电流路径;

闭合环路,变化的电流产生磁场,为了降低EMC,设计PCB时,环路设计应该尽量小,同时不要干扰了模拟电路,比如反馈电路、增益补偿、软起动、使能电路等;

为了降低功耗,提高降压效率,功率电感应该选取低DCR的,饱和电流为平均电流的4/3(经验值);续流二极管D选取肖特基二极管(高频率,大电流,低导通电压0.2V),或选择同步降压IC如ULN2003(集成续流二极管)

为了降低输出纹波,电感、电容需要选择合适的值,一般datasheet有推荐,电感值越大,相对纹波越小,但是,由于电感阻碍电流变化,导致响应负载的速度变慢;电容一般选用铝电解电容与陶瓷电容(低ESR)的组合;高度有限制或对成本不敏感时,可以选择钽电容,钽电容温度特性好,低ESR,寿命长,但成本高,耐压差(耐压最好选择大于2倍的输出电压)

一般,开关频率越高,电感可以选取的越小,因为需要能量越少,电感可以不用存储太多的能量即可,如市电的50HZ,变压器就很大;

3、选型依据

a、输入输出电压--决定了PWM波的占空比

b、输出电流--评估带载能力

c、品牌、封装、成本

4、常用型号

MPS品牌 MP2451 MP1584

TI品牌 TPS54331

5、手册MP2451

•130μA工作静态电流

•3.3V到36V的工作输入范围

•500mΩ内部功率MOSFET

•2MHz固定开关频率

•内部补偿

•稳定的陶瓷输出电容

•内部软启动

•精确限流,无电流

感应电阻

•> 90%效率

•输出可从+0.8V到0.8xVIN

•3μA低关机电源电流

•SOT23-6和TSOT23-6包装

输出电压为5V的时候效率最高

1、BST引脚 这是内部浮动高侧MOSFET驱动器的正电源。 在这个引脚和SW引脚之间连接一个旁路电容。

2、GND引脚 它应该连接尽可能接近输出电容,避免大电流开关路径。

3、FB引脚 这是误差放大器的输入。 连接在输出和GND之间的外部电阻分压器与内部的+0.8V基准进行比较,以设置调节电压。

4、EN引脚 拉这个引脚低于指定的阈值关闭芯片。把它拉到指定的阈值上使芯片启动。浮动这个引脚可以关闭芯片。

5、VIN引脚 这为所有内部控制电路提供电源,包括BS稳压器和高侧开关。 在这个引脚附近需要一个接地的去耦电容来减少开关尖峰。

6、SW引脚 这是高侧开关的输出。 在这个引脚附近需要一个低VF的肖特基二极管对地,以减少开关峰值

五、BOOST升压电路

1、拓扑结构

2、工作原理

原理简述:开关S闭合时,电感蓄能,开关S断开时,电感电流不能突变,产生自感电压,此电压与输入电压叠加,将产生高于输入电压的PWM波,再通过电容C滤波成直流电压,达到升压的目的。

Vout = (Vin+电感自感电压)*D

环路一、开关闭合时的电流路径,此时电源给电感充电,负载由电容供电;环路二,开关断开时电流路径,电源与电感同时给电容充电,给负载供电,起到升压效果;

闭合环路,变化的电流产生磁场,为了降低EMC,设计PCB时,环路设计应该尽量小,同时,不要干扰了模拟电路,比如反馈回路、增益补偿、使能部分等;

为了降低功耗,功率电感应该选取低DCR的;整流二极管D选取肖特基二极管;

为了降低输出纹波,电感值、电容值需要选择合适的值,一般datasheet有推荐。电感值过小,存储能量不足,导致电压升不上去,电感值过大,导致负载响应速度变慢,因此,电感需要选择合适的值;电容值过大,导致开机时充电电流过大,容易导致电感饱和或电源无法启动,电容值过小,导致纹波过大,因为开关闭合时,负载完全由电容供电,因此,电容需要选取合适的值

3、常用型号

MPS品牌 MP1541

微盟 ME2159

4、手册解读

ME2159

●精密反馈参考电压:0.6V

●参考电压精度:±2%

●可调输出,最大可达12V

●内部固定PWM频率:650KHz

●内部0.18Ω,2A, 16V功率MOSFET

●关机电流:0.1μA

●过温度保护:165℃

六、产品应用

1、LDO-78L05 低成本,输出5V,最大输出电流100mA,最低压差2V

如果直接使用12V-5V的话,78L05的功耗就会为(12-5)*0.1 = 0.7W

之前有说过,SOT-89的经验功耗不超过0.5W,0.7W的话发热很严重,使用R26/R27进行分压,使得LDO的输入电压为12-30*0.1=9V,所以LDO此时功耗为(9-5)*0.1=0.4W

2、LDO-HT7333-3 (输入5V,输出3.3V,低压差,输出电力250mA)

3、LDO-MIC29302(压差小于0.6V,输出电流最大3A)

4、BUCK降压-MP2451(开关频率2M,带载能力1A)

5、BUCK降压-TPS54331(开关频率570kHz,带载能力3A)

6、BOOST升压-ME2159(开关频率650kHz,内部集成2A MOS功率管)

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