ESD9X5VU-2/TR瞬态电压抑制器WILLSEM ESD9X5VU 1线单向超低电容

ESD9X5VU-2/TR
ESD9X5VU
1线，单向，超低电容
瞬态电压抑制器

说明

ESD9X5VU是一个单向瞬态电压抑制器（TVS）提供非常高水平的保护
适用于可能受到影响的敏感电子元件静电放电（ESD）。它旨在取代
消费类设备中的多层压敏电阻（MLV）手机，笔记本，PAD，STB等应用液晶电视等。
ESD9X5VU采用一对超低电压电容控制二极管加一个TVS二极管。
ESD9X5VU可用于提供ESD保护根据±20kV（接触和空气放电）
IEC61000-4-2，可承受高达4A的峰值脉冲电流根据IEC61000-4-5，8 /20μs脉冲。
ESD9X5VU采用FBP-02C封装。标准产品不含铅，不含卤素。

特征

隔离电压：最大5V FAE：13723714318
根据每条线路的瞬态保护
IEC61000-4-2（ESD）：±20kV（接触和空气放电）
IEC61000-4-4（EFT）：40A（5 / 50ns）
IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8 /20μs）
超低电容：CJ = 0.5pF（典型值）。
超低漏电流：IR <1nA（典型值）。
低钳位电压：VCL = 18V（典型值）。 @ IPP = 16A（TLP）
固态硅技术

应用

USB 2.0和USB 3.0
HDMI 1.3和HDMI 1.4
SATA和eSATA
DVI
IEEE 1394
PCI Express
便携式电子产品和笔记本

绝对最大额定值

电气特性（TA = 25 oC，除非另有说明）
笔记：
1）TLP参数：Z0 =50Ω，tp = 100ns，tr = 2ns，平均窗口从60ns到80ns。 RDYN的计算方法是从4A到16A。
2）根据IEC61000-4-5的非重复电流脉冲。
参数符号评级单位
峰值脉冲功率（tp = 8 /20μs）Ppk 60 W.
峰值脉冲电流（tp = 8 /20μs）IPP 4 A.
ESD符合IEC61000-4-2空气放电
VESD±20kV
ESD符合IEC61000-4-2接触放电±20
结温TJ 125 oC
工作温度TOP -40~85 oC
引线温度TL 260 oC
储存温度TSTG -55~150 oC
参数符号条件最小值典型。最大。单元

反向隔离电压VRWM 5.0 V.
反向漏电流IR VRWM = 5V <1 100 nA
反向击穿电压VBR IBR = 1mA 7.0 8.0 9.0 V.
正向电压VF IF = 10mA 0.6 0.9 1.2 V.
钳位电压1）VCL IPP = 16A，tp = 100ns 18.0 V.
动态电阻1）RDYN0.57Ω
钳位电压2）VCL
IPP = 1A，tp = 8 /20μs11V
IPP = 4A，tp = 8 /20μs15V.
结电容CJ VR = 0V，f = 1MHz 0.50 0.90pF

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