ESD5401N-2/TR 瞬态电压抑制器 封装DFN1006-2L WILLSEM
ESD5401N 1线，单向，瞬态电压抑制器
说明
ESD5401N是TVS（瞬态电压抑制器）旨在保护敏感的电子元件
连接到数据和传输线
ESD（静电放电），EFT引起的过应力
（电快速瞬变）和闪电。
ESD5401N可用于提供高达ESD的ESD保护
根据IEC61000-4-2，±30kV（接触放电），和
可承受高达8A（8 /20μs）的峰值脉冲电流IEC61000-4-5。
ESD5401N采用DFN1006-2L封装。
标准产品不含铅，不含卤素。
特征
FAE:13723714318
支持电压：最大24V
根据每条线路的瞬态保护
IEC61000-4-2（ESD）：±30kV（接触放电）
IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8 /20μs）
电容：CJ = 42pF（典型值）。
超低漏电流：IR <1nA（典型值）。
低钳位电压：VCL = 40V（典型值）。 @ IPP = 16A（TLP）
固态硅技术
应用
计算机和外围设备
手机
便携式电子产品
笔记本
绝对最大额定值
电气特性（TA = 25 oC，除非另有说明）
1）TLP参数：Z0 =50Ω，tp = 100ns，tr = 2ns，平均窗口从60ns到80ns。 RDYN的计算方法是从4A到
16A。
2）根据IEC61000-4-5的非重复电流脉冲。
参数符号评级单位
峰值脉冲功率（tp = 8 /20μs）Ppk 360 W.
峰值脉冲电流（tp = 8 /20μs）IPP 8 A.
ESD符合IEC61000-4-2空气放电
VESD
±30
千伏
ESD符合IEC61000-4-2接触放电±30
结温TJ 125 oC
工作温度TOP -40~85 oC
引线温度TL 260 oC
储存温度TSTG -55~150 oC
参数符号条件最小值典型。最大。单元
反向最大工作电压VRWM 24 V.
反向漏电流IR VRWM = 24V <1 50 nA
反向击穿电压VBR IT = 1mA 27 29 33 V.
正向电压VF IF = 20mA 0.65 0.83 1.25 V.
钳位电压1）VCL IPP = 16A，tp = 100ns 40V
动态电阻1）RDYN0.6Ω
钳位电压2）
VCL
IPP = 1A，tp = 8 /20μs33V.
IPP = 8A，tp = 8 /20μs45V.
结电容CJ
VR = 0V，f = 1MHz 42 50pF
VR = 24V，f = 1MHz 12 15 pF
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