DRAM知识整理系列(三):部分时序参数整理
目录
一、时序参数整理
第一时序:
1、tCL - CAS Lantency Control
2、tRCD - RAS to CAS Delay
3、tRP - Row Precharge Timing
4、tRAS - RAS Active Time
第二时序:
5、CWL - CAS Write Latency
6、tRC - Row Cycle Time
7、tRFC - Row Refresh Cycle Time
8、tRRD - Row to Row Delay
9、tWR - Write Recovery Time
10、tWTR - Write to Read Delay
11、tREF - Refreshh Period
12、tFAW - Four Active Window
13、tCCD - CAS to CAS Delay
一、时序参数整理
内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Active to precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS(Row Address Strobe)。一旦tRAS激活后,RAS开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD(RAS to CAS Delay),周期结束,接着通过CAS(Column Address Strobe)访问所需数据的十六进制地址。其中,从CAS开始到CAS结束,就是CAS延迟(即tCL)。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,(tCL)也是内存参数中最重要的。
第一时序:
1、tCL - CAS Lantency Control
tCL(CAS Lantency Control):内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间,一般单位为tCK(即:单位时钟周期)
- CAS 控制从接受一个指令到指令执行之间的时间。
- 因为 CAS 主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在保持稳定的前提下应该尽可能设低。
- 对内存读写性能影响最大。
具体时间计算公式:tCL(ns) = (CL * 2000) / 内存频率
如:DDR3-1333-CL9。tCAS = (9 * 2000) / 1333 = 13.5(ns)
2、tRCD - RAS to CAS Delay
tRCD(RAS to CAS Delay,又可以称为:Acitve to CMD):行寻址到列寻址延迟时间,一般单位为tCK(即:单位时钟周期)
- 对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。
- 在JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延迟,可以提高系统性能。
- 如果内存的超频性能不佳,可以将此值设置成内存默认值或者提高tRCD的值。
- 对内存最大频率影响最大
3、tRP - Row Precharge Timing
tRP( Row Precharge Timing,又可以称为:Precharge to Active):内存行地址控制器预充电时间,一般单位为tCK(即:单位时间周期)
- tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间。
- tRP参数太长会导致所有的行激活延迟过;设置太短可能会导致行激活之前的数据丢失,内存控制器不能顺利地完成读写操作。
4、tRAS - RAS Active Time
tRAS(RAS Active Time,又可以称为:Active to Prechage Delay) :内存行有效至预充电的最短周期
- 如果tRAS等待周期太长,系统会因为无意义的等待而降低性能。若tRAS等待周期太短,则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态,这样可能会因为缺少足够的时间而无法完成数据的突发传输
- tRAS的值一般设置为 tRAS(推荐)= tCL + tRCD + tRTP
- 为提高系统性能,应尽可能降低tRAS的值,但是如果发生内存错误或系统死机,则应该增大tRAS的值。
第二时序:
5、CWL - CAS Write Latency
CWL(CAS Write Latency):列地址写入延迟,与CL刚好是读写对应关系。
- 一般与CL设置同一个值是可以稳定的。(即 CWL = CL 一般可以稳定)
- Controller 在发送完Write Command后,需要等待tCWL时间后,才可以发送写入的数据。
6、tRC - Row Cycle Time
tRC( Row Cycle Time):定义了同一bank两次行激活命令所间隔的最小时间,或者说是一个bank中完成一次行操作周期(Row Cycle)的时间
- 计算公式:tRC = tRAS + tRP
- tRC过长会导致无意义的延时等待,降低性能;tRC过短,情况和tRP过短情况差不多,在会导致被激活的行单元被充分充电之前,新的周期就被初始化了,这样会导致数据丢失和损坏。
7、tRFC - Row Refresh Cycle Time
tRFC(Row Refresh Cycle Time):SDRAM行刷新周期时间,它是行单元刷新所需要的时钟周期数或者是纳秒(ns)。定义了一个bank中行地址刷新所需要的时间,容量大的bank行地址和cell单元会更多,刷新时间更长,因此tRFC也要更高。
在AMD平台的tRFC是DRAM刷新延迟时间,单位是ns,通常有90/110/160/300几个值可以调整,也就是说它的tRFC时钟周期会随着频率的提升而提升。
Intel平台的单位则直接是时钟周期,相反地延迟时间会随着频率的提升而降低。容量大的bank行地址和cell会更多,刷新时间也更长,因此tRFC也要更高。
- 该值表示行地址刷新所需要的时间。
- tRFC的值越小越好,它比tRC的值要稍高一点。
- tRFC的值与内存容量密度和工作频率有关。
8、tRRD - Row to Row Delay
tRRD(Row to Row Delay):行单元到行单元的延时。
- 该值还表示向相同bank中的 同 一个行单元两次发送激活指令(即:REF)之间的时间间隔。
- tRRD的值越小越好,延迟越低,表示下一个bank能更快地被激活,进行读写操作。然而如果延迟太短,会引起连续数据膨胀。
- tRRD_S表示不同bank,tRRD_L表示相同bank
9、tWR - Write Recovery Time
tWR(Write Recovery Time):写恢复延时(即:写完数据后,到预充电命令前的延时)
- 该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作以及与预充电前,必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期,用来确保在预充电发生前,写缓冲中的数据可以被写入内存单元中。
- 较低的tWR可以提高系统性能,但可能导致数据还未完全正确写入内存单元,就发生了预充电操作,导致数据的丢失和损坏。
10、tWTR - Write to Read Delay
tWTR(Write to Read Delay):写到读延时(即:最后的数据进入读指令)
- 该值表示的是,DDR内存模块中的同一个单元中,在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。
- 增加tWTR的值,可以让内容模块运行比其默认速度更快的速度下;减小tWTR的值,可以提高读性能,但会降低系统稳定性。
- tWTR_S表示不同bank,tWTR_L表示相同bank
11、tREF - Refreshh Period
tREF (Refreshh Period):刷新周期,它指的是内存模块的刷新周期。(一般为微秒,us)
- tREFI 指的是平均刷新间隔。从原理上看,DRAM存储单元基于一个电容,64ms是电容的放电时间。DRAM是按照行列组织的,执行一个刷新命令会把某行上所有的存储单元(电容)充电。换句话说,如果DRAM有8192个行,那么就需要在64ms之内执行8192次刷新操作(64 ms / 8192 = 7.81us),无论是摊开平均执行,还是集中突发执行。DDR3允许突发执行8个刷新操作——你既可以先突发执行8个刷新操作,然后等上9*tREFI时间啥事都不干;或者你先发呆9*tREFI时间,然后突发执行8个刷新操作。总之就是要记住,DRAM每行上面的存储单元一定要在64ms之内得到刷新。
- tREFI 的值与 容量密度还有和工作温度有关。
12、tFAW - Four Active Window
tFAW(Four Active Window):它定义了一个rank中允许同时发送大于4个bank行激活的命令的间隔时间
- tFAW >= 4 * tRRD
- 由于tFAW是在一个rank中大于4个bank同时激活之后才生效的,所以在内存不是很繁忙的时候,它对性能的影响并不是很大。但是对一些频繁读写内存的操作,tFAW对性能的影响可能会加大 。
13、tCCD - CAS to CAS Delay
tCCD(CAS to CAS Delay):CAS命令到CAS命令之间的时间间隔
DRAM知识整理系列(三):部分时序参数整理相关推荐
- Deep Learning(深度学习)学习笔记整理系列三
Deep Learning(深度学习)学习笔记整理系列 声明: 1)该Deep Learning的学习系列是整理自网上很大牛和机器学习专家所无私奉献的资料的.具体引用的资料请看参考文献.具体的版本声明 ...
- I2C知识大全系列三 —— I2C驱动之单片机中的I2C
两种方式 单片机中的I2C驱动有两种方式.一种方式是用专用硬件I2C控制器实现,这种方式简单易行,品质也容易控制,只是会增加硬件成本方面的压力.另一种方式是用纯软件方式实现,这种方式几乎无硬件成本方面 ...
- Deep Learning(深度学习)学习笔记整理系列之LeNet-5卷积参数个人理解
一个典型的例子说明 一种典型的用来识别数字的卷积网络是LeNet-5(效果和paper等见这).当年美国大多数银行就是用它来识别支票上面的手写数字的.能够达到这种商用的地步,它的准确性可想而知.毕竟目 ...
- 【知识图谱系列】动态知识图谱表示学习综述 | 十篇优秀论文导读
作者:CHEONG 公众号:AI机器学习与知识图谱 研究方向:自然语言处理与知识图谱 本文分享一篇动态知识图谱表示学习综述汇报ppt,分享10篇优秀论文,简单介绍其核心思想,完整汇报ppt获取请关注公 ...
- 【知识图谱系列】基于互信息最大化的图谱预训练模型DGI InfoGraph
作者:CHEONG 公众号:AI机器学习与知识图谱 研究方向:自然语言处理与知识图谱 本文介绍两篇基于互信息最大化的图谱预训练模型DGI(ICLR 2019)和InfoGraph(ICLR 2020) ...
- SpringBoot笔记整理(三)
SpringBoot笔记整理(一) SpringBoot笔记整理(二) SpringBoot笔记整理(三) SpringBoot笔记整理(四) Web开发 1.使用SpringBoot: 1)创建Sp ...
- Deep Learning(深度学习)学习笔记整理系列之(三)
Deep Learning(深度学习)学习笔记整理系列 zouxy09@qq.com http://blog.csdn.net/zouxy09 作者:Zouxy version 1.0 2013-04 ...
- 《繁凡的深度学习笔记》前言、目录大纲 一文让你完全弄懂深度学习所有基础(DL笔记整理系列)
<繁凡的深度学习笔记>前言.目录大纲 (DL笔记整理系列) 一文弄懂深度学习所有基础 ! 3043331995@qq.com https://fanfansann.blog.csdn.ne ...
- 【JAVA编码专题】 JAVA字符编码系列三:Java应用中的编码问题
这两天抽时间又总结/整理了一下各种编码的实际编码方式,和在Java应用中的使用情况,在这里记录下来以便日后参考. 为了构成一个完整的对文字编码的认识和深入把握,以便处理在Java开发过程中遇到的各种问 ...
- “知识图谱+”系列:知识图谱+强化学习
泽宇个人一直认为强化学习是建模动态系统最好的方法之一,通过与环境的不断交互,在动作选择和状态更新的动态过程中逐渐达到优化目标.因此,本期泽宇将从知识图谱结合强化学习的角度介绍几个不同的研究方向的内容, ...
最新文章
- 动态改变Android控件大小
- 生产环境 Apache 和 php 配置优化(一)
- B端设计指南-表格设计的常见问题
- ICS—CERT官网公示匡恩网络新发现四工控漏洞
- 诗歌rails 之自定义Helper模块
- [剑指offer][JAVA]面试题第[15]题[二进制中1的个数][位运算]
- 基于vue,elementui的注册页面源码
- 程序员面试金典 - 面试题 04.04. 检查平衡性(二叉树高度)
- 那些年我们追过的网络库(PartI)
- 20145226夏艺华 后门原理与实践
- 李海自学java_JAVA程序设计 实验一
- SSL-Explorer 安装配置
- mysql找不到服务_win7系统安装mysql后找不到服务或提示找不到指定文件如何解决...
- 奇怪的Adobe dynamic link
- WinForm开发之点滴整理
- Spine(2d动画制作软件)绿色中文最终优化版V3.8.75 | spine动画软件下载
- laravel框架详解
- matlab fx函数图像,matlab 画两个自变量的函数图像
- CAj格式文件打开方法
- java: 找不到符号