文章目录

前言

准备

一、存储信息

1、存储信息寄存器

这个寄存器可以获取片上FLASH存储器容量、片上SRAM容量

2、系统架构示意图

可见Flash的操作可以通过FMC控制器尽心操作，提供字、半字、字节闪存操作，可以扇区擦除、块擦除和部分系列（GD32F470xx, GD32F427xx and GD32F425xx ）还提供页擦除（4KB）

3、存储器映射

这个F4系列最大3072KB,我们用的芯片只有 512K

4、存储扇区基地址和大小

可以看出，不同的扇区大小还不一样，有16K、64K、128K不同大小的扇区

二、解锁

1、解锁FMC_CTL、FMC_OBCTLx

复位之后如果要操作FMC前要解锁 FMC_CTL这个控制寄存器、若果要操作选项字节需解锁FMC_OBCTLx 选项字节控制寄存器，都是先后往对应的KEY解锁寄存器写入两个对应的序列，上锁是把对应的 LK bit 置1

FMC_CTL解锁上锁例程

/*!\brief    unlock the main FMC operation\param[in]  none\param[out] none\retval     none
*/
void fmc_unlock(void)
{if((RESET != (FMC_CTL & FMC_CTL_LK))) {/* write the FMC key */FMC_KEY = UNLOCK_KEY0;FMC_KEY = UNLOCK_KEY1;}
}/*!\brief    lock the main FMC operation\param[in]  none\param[out] none\retval     none
*/
void fmc_lock(void)
{/* set the LK bit*/FMC_CTL |= FMC_CTL_LK;
}

2、解锁也擦除配置寄存器 FMC_PECFG

当需要执行页擦除操作时需要往 FMC_PEKEY 寄存器写入 0xA9B8C7D6来解锁FMC_PECFG寄存器

三、读操作

可以直接寻址访问

void fmc_read_8bit_data(uint32_t address, uint16_t length, int8_t* data_8)
{uint8_t i;   for(i=0; i<length; i++){/*直接寻址访问*/data_8[i] = *(__IO int8_t*)address;address++;}
}

四、主flash编程操作

1、操作流程

a、确保FMC_CTL寄存器不处于锁定状态；
b、等待FMC_STAT寄存器的BUSY位变为0来确保没有闪存操作在进行，否则等待该操作完成；
c、按照需求设置PSZ位域，并置位FMC_CTL寄存器的PG位；
d、DBUS写一个32位整字/16位半字/8位字节（必须与FMC_CTL寄存器中的PSZ位匹配）到
目的绝对地址（0x08XX XXXX）；
e、通过检查FMC_STAT寄存器的BUSY位是否清0，来确定写操作执行完毕；
f、如果需要，使用DBUS读操作验证是否编程成功。

2、8位字节编程例程

/* 单字节编程 */
fmc_state_enum fmc_byte_program(uint32_t address, uint8_t data)
{fmc_state_enum fmc_state = FMC_READY;/* 等待BUSY忙碌标志清零、FMC就绪、FMC没有故障 */fmc_state = fmc_ready_wait(FMC_TIMEOUT_COUNT);if(FMC_READY == fmc_state) {/* 复位编程大小位有 32位整字/16位半字/8位字节*/FMC_CTL &= ~FMC_CTL_PSZ;/* 选择新的编程大小位位 8位字节*/     FMC_CTL |= CTL_PSZ_BYTE;/* 置位 FMC_CTL_PG ，PG位必须在32位整字/16位半字/8位字节编程开始前进行置位*/             FMC_CTL |= FMC_CTL_PG;/* 开始编程，往对应的地址存入数据*/      REG8(address) = data;/* 等待BUSY忙碌标志清零，操作完成 */fmc_state = fmc_ready_wait(FMC_TIMEOUT_COUNT);/* 清零PG位 */FMC_CTL &= ~FMC_CTL_PG;}/* 返回 FMC 状态 */return fmc_state;
}

3、页擦除(GD32F425、GD32F427、GD32F470支持)

1、流程

2、程序解析

/* 页擦除 */
fmc_state_enum fmc_page_erase(uint32_t page_addr)
{fmc_state_enum fmc_state = FMC_READY;/* 等待BUSY忙碌标志清零、FMC就绪、FMC没有故障 */fmc_state = fmc_ready_wait(FMC_TIMEOUT_COUNT);if(FMC_READY == fmc_state) {/* 解锁 FMC_PECFG */FMC_PEKEY = UNLOCK_PE_KEY;/* PE_EN置位使能页擦除、 page_addr要擦除的页地址*/FMC_PECFG = FMC_PE_EN | page_addr;/* 选择擦除扇区号 */        FMC_CTL &= ~FMC_CTL_SN;/* 主存储块扇区擦除命令置位 */      FMC_CTL |= FMC_CTL_SER;/* 发送擦除命令位 */       FMC_CTL |= FMC_CTL_START;/* 等待BUSY忙碌标志清零，操作完成 */fmc_state = fmc_ready_wait(FMC_TIMEOUT_COUNT);/* PE_EN 停止页擦除 */        FMC_PECFG &= ~FMC_PE_EN;/* 主存储块扇区擦除命令清零 */             FMC_CTL &= ~FMC_CTL_SER;}return fmc_state;
}

FMC还提供扇区擦除、块擦除，这里不详细说明了。

总结

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【GD32学习】五、片内Flash读写实验-闪存控制器FMC

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前言

准备

一、存储信息

1、存储信息寄存器

2、系统架构示意图

3、存储器映射

二、解锁

1、解锁FMC_CTL、FMC_OBCTLx

2、解锁也擦除配置寄存器 FMC_PECFG

三、读操作

四、主flash编程操作

2、8位字节编程例程

3、页擦除(GD32F425、GD32F427、GD32F470支持)

1、流程

2、程序解析

总结

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1、解锁FMC_CTL、FMC_OBCTLx

2、解锁 也擦除配置寄存器 FMC_PECFG

三、读操作

四、主flash编程操作

2、8位字节编程例程

3、页擦除(GD32F425、GD32F427、GD32F470支持)

1、流程

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