【FLASH 操作】FLASH 读写等操作 学习

近似型号中文资料：

IC型号：N25Q128 http://www.soiseek.cn/NUMONYX/N25Q128/2.htm

官方文档：F5438中文全集.pdf_免费高速下载|百度网盘-分享无限制   第60页
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// 参数： adr 为地址 , 范围 0x1000~0xFFFF
void  FlashRead(long adr,uint8 *bBuf,uint8 bLen)
{
   while (bLen--)
     *bBuf++=*(uint8 *)adr++;
   return;
}

// 写入地址 adr  写入数据：*pc_byte

void FlashWrite(long adr,uchar *Datain,uint len)
{

//FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK  16*FN4 + 8*FN3
  FCTL3 = FWKEY;
  FCTL1 = FWKEY + WRT;

while(FCTL3 & BUSY);                //如果处于忙状态，则等待
  while(count--)
  {

while(FCTL3 & BUSY);
    *(uchar*)adr++ = *Datain++;
  }
  FCTL1 = FWKEY;
  FCTL3 = FWKEY + LOCK;
  while(FCTL3 & BUSY);
}

EraseSectorFlash  过程

void EraseSectorFlash(unsigned int adr)
{
     
      _DINT();
      uchar *p0;
      //FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//选择时钟源，分频
      FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK
      while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙，则等待
      FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作  每段512字节
      p0 = (unsigned char *)adr;//数值强制转换成指针
      *p0 = 0;            //向段内任意地址写0，即空写入，启动擦除操作
      FCTL1 = FWKEY;
      FCTL3 = FWKEY + LOCK;
      while(FCTL3 & BUSY);
      _EINT();                       //开总中断
}

查看空闲的FLASH 地址，避免擦除代码所在的地址。每次擦除均是一段一段的擦除，每段512字节。

找不到datasheet，不知道段的起止地址的，可以打开memory ，在内存窗口，用代码尝试随便写入一个任意地址，看哪些地方被改写成0xFF 就知道段的起止，如：

我们在0x15000写入（EraseSectorFlash(0x15000);），那里原本有非0xFF数据，好辨认（是FF的可以先写再擦）。看到段的起止是15000-151ff 刚好是512 。

0x15000+0x200->0x15200 所以下一段的起始地址是 0x15200 以此类推。

验证代码：

EraseSectorFlash(0x2A000);
              EraseSectorFlash(0x2A200);
              EraseSectorFlash(0x2A400);
              EraseSectorFlash(0x2A600);
             
              FlashWrite(0x2A000,origin_protect_data,512);
              memset(origin_protect_data,0xCB,900);
              FlashWrite(0x2A200,origin_protect_data,512);
              memset(origin_protect_data,0xCA,900);
              FlashWrite(0x2A400,origin_protect_data,512);
              memset(origin_protect_data,0xC9,900);
              FlashWrite(0x2A600,origin_protect_data,512);