什么是VMOS功率场效应管，工作原理是什么

VMOS功率场管的外形和内部结构示意图如图1所示，图1(b)为P沟道VMOS管栅极做成V形槽状，使得栅极表面和氧化膜表面的面积较大，有利于大电流控制，栅极仍然与漏、源极是绝缘的，因此VMOS管也是绝缘栅场效应管。漏极D从芯片上引出。与MOS管比较，—是源极与两极的面积大，二是垂直导电(Mos管是沿表面水平导电)，二者决定了VMOS管的漏极电流ID比MOS管大。电流ID的流向为：从重掺杂M+型区源极出发，通过P沟道进入轻掺杂N-漂移区，然后到达漏极。这种管于的耐压高、功率大，被广泛用于放大器、开关电源和逆变器中，使用时要注意加装散热器，以免烧杯管子。

图1　VMOS功率场效应管外形及内部结构示意图

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　　根据结构的不同，管分为两大类：
　　VMOS管，即垂直导电V形槽MOS管；
　　VDMOS管，即垂直导电双扩散MOS管。
　　它们的结构分别如图1-15（a）、（b）所示，其中（a）为VVMOS结构剖面图，（b）为VDMOS结构剖面图。下面以VVMOS结构为例，说明一下VMOS管的构成。

　　获得垂直沟道的一种方法是形成穿入硅表面的V形槽，开始时在N+衬底上生成一个N-外延
　　层，在此外延层内进行一次掺杂颇轻的P型沟道体扩散，随后是一次N+源区扩散。然后刻蚀出V 形槽，并使它延伸进入到N-外延层内。最后生长氧化掩盖层。再通过金属化提供栅极及其它所需的连接。包括N+源区与P沟道体之间的连接。
　　按导电沟道划分，VMOS管可分为N沟道型和P沟道型两种，可与双极晶体管的npn型和pnp型相对应。
　　作为一个例子，图1-16 画出N沟道增强型VMOS管的输出特性曲线。从形状上看，它与双极晶体管的输出特性相似。但内含不一样，这是由VMOS管的基本特性决定的。VMOS管输出特性中的每一条曲线是以栅源电压Ugs为参变量画出的，面双极晶体管输出特性的每一条曲线是以基极电流Ib为参变量画出的。

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