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-半导体材料-章节资料考试资料-浙江大学【】
第一章测验
1、【单选题】以下几种材料为宽禁带半导体的是
A、Si
B、Ge
C、GaAs
D、GaN
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2、【单选题】以下对于半导体材料电学特性描述正确的是
A、电子空穴导电
B、常温下电阻率可以为10E-4 Ω·cm
C、构成P-N结，加正向电压无电流通过，加反向电压有电流通过
D、电阻率随温度的增加而增加
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3、【单选题】半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性
A、光生伏特效应
B、电致发光特性
C、高纯特性
D、高完整特性
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4、【单选题】以下对于半导体的描述错误的是
A、半导体可以应用于集成电路、光伏、发光器件、探测器等领域
B、第三代半导体的性能要优于第一代半导体，且应用更为广泛
C、在制备半导体时，需要高纯的原材料，杂质越少越好
D、目前硅片向大尺寸的方向发展，目前正在建设300 mm的生产线
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5、【判断题】半导体材料是一门交叉了材料、能源、信息三大类的学科。
A、正确
B、错误
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6、【判断题】半导体的导电特性与金属相同。
A、正确
B、错误
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7、【判断题】为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子浓度，半导体材料本身必须高纯，没有或尽量少杂质。
A、正确
B、错误
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8、【判断题】在光伏领域，硅材料是应用最为广泛的半导体材料。
A、正确
B、错误
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第二章测验
1、【单选题】以下对于晶体生长描述正确的是
A、晶体生长是平衡过程。
B、晶面的法向生长速度越快，就越容易留下来；反之则容易消失。
C、晶体的原子最密排面表面能最低。
D、晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。
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2、【单选题】以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是
A、晶体的生长单元比例x=NA/N,如果x＞50%就是粗糙界面，x＜50%就是光滑界面
B、x=50%是粗糙界面，x=0%或者100% 为光滑界面
C、界面的相对吉布斯自由能与x无关。
D、对于粗糙面，晶体生长采取二维成核或者自然台阶层状生长。
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3、【单选题】以下对于非均匀形核的描述错误的是
A、一般所有的杂质都可以充当形核的基底
B、降低湿润角，一般需要选择与晶核相同晶体结构，相近的点阵常数作为异质形核点
C、当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时，润湿角为零
D、杂质表面的形状对于表面形核有影响，凹面促进形核
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4、【单选题】以下对于晶体生长的方法描述错误的是
A、金刚石一般采取固相生长法
B、Si晶体一般采用溶液生长法
C、GaN可以采取气相生长法
D、任何两相之间都有亚稳区存在，当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生。
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5、【判断题】晶体生长过程中，只有达到一定的过冷度时，才能自发进行熔-固相转变。
A、正确
B、错误
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6、【判断题】晶体生长时，体系的自由能随着晶核半径的增加而增加。
A、正确
B、错误
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7、【判断题】在体系中存在外来质点（比如尘埃、固体颗粒、籽晶等），在外来质点上成核叫做均匀成核。
A、正确
B、错误
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8、【判断题】硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。
A、正确
B、错误
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第三章测验
1、【单选题】以下熔体生长法生长晶体描述正确的是
A、材料必须在熔化过程中成分不变
B、材料在是温和熔点之间能够发生相变
C、二氧化硅可以用于熔体生长法
D、材料在熔化前能够分解
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2、【单选题】目前生长半导体体单晶最常见的方法是
A、直拉法
B、CVD法
C、布里兹曼法
D、液相外延法
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3、【单选题】生长非常高熔点的氧化物（如：钇铝石榴石）一般用什么方法
A、温差水热法
B、直拉法
C、CVD法
D、区熔法
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4、【判断题】SiC可以用熔体生长法。
A、正确
B、错误
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5、【判断题】生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。
A、正确
B、错误
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6、【判断题】液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
A、正确
B、错误
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7、【判断题】区熔法可以生长熔点极高的晶体。
A、正确
B、错误
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8、【判断题】CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
A、正确
B、错误
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测验
1、【单选题】以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有
A、氯化钠
B、锗单晶
C、硒化汞
D、硫化锌
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2、【单选题】以下对于硅材料的性质的描述正确的是
A、硅材料是直接带隙，可以做发光管和激光器
B、高纯硅可以吸收红外光
C、硅是脆性材料，可加工性差
D、本征硅的热导率随着温度的增加而增加。
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3、【单选题】以下对于硅的化学性质描述正确的是
A、硅对于大多数的酸是稳定的
B、硅不和碱反应
C、硅溶于王水
D、硅在高温下也很稳定，不与大部分物质发生反应
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4、【多选题】以下对于硅材料特性的描述正确的是
A、器件工作温度高（达250℃）
B、电子迁移率高，高频性能好
C、发光效率高
D、容易形成结构高度稳定的绝缘层
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5、【多选题】形成P型硅的掺杂剂是
A、硼
B、铝
C、砷
D、锑
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6、【判断题】硅晶体的最密排面是{111}面，第一解离面是{110}面。
A、正确
B、错误
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7、【判断题】硅材料本身是没有电活性的，可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。
A、正确
B、错误
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8、【判断题】硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离，电阻率与掺杂浓度呈反比关系。
A、正确
B、错误
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测验
1、【单选题】以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是
A、精炼造渣+定向凝固
B、电子束＋定向凝固
C、区熔提纯
D、直拉法
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2、【单选题】以下描述正确的是
A、硅材料在自然界中非常丰富，存在天然的晶体硅
B、锗材料是稀有元素，得到高纯锗需要先制备锗精矿
C、制备金属锗最难去除的杂质是金属杂质
D、纯度：太阳电池级多晶硅>电子级多晶硅
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3、【单选题】以下描述错误的是
A、电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”
B、金属硅通过化学提纯得到高纯硅
C、西门子法中三氯氢硅的提纯可以采用精馏提纯的方法
D、西门子法的优点是产量大、质量高，但是成本高
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4、【判断题】半导体硅的性能对于杂质非常敏感，一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。
A、正确
B、错误
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5、【判断题】硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。
A、正确
B、错误
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6、【判断题】硅烷法的成本低，但是安全性差。
A、正确
B、错误
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测验
1、【判断题】区熔提纯利用分凝原理
A、正确
B、错误
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2、【判断题】区熔的熔区移动速度越小，提纯效果越好
A、正确
B、错误
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3、【判断题】区熔硅可以在气氛中含氮来抑制微缺陷，增加机械强度。
A、正确
B、错误
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4、【判断题】区熔可以重复多次，使杂质尽量被集中在头尾两端，提纯中部的材料，且熔区越长越好。
A、正确
B、错误
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5、【判断题】熔区次数的选择可以根据经验公式得到：n=(1~1.5)L/l
A、正确
B、错误
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6、【判断题】硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数都大于1.
A、正确
B、错误
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测验
1、【单选题】不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有
A、位错
B、Fe杂质
C、Cu杂质
D、晶界
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2、【单选题】在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是
A、温度差会产生热对流
B、晶体旋转和坩埚旋转都会产生强制对流
C、磁性直拉法可以通过外加磁场在一定程度上抑制对流
D、表面张力会产生热对流
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3、【单选题】以下对于直拉生长描述错误的是
A、重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险
B、连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定
C、连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低，晶体质量高
D、连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀，但是掺镓除外
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4、【判断题】Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限
A、正确
B、错误
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5、【判断题】掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
A、正确
B、错误
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6、【判断题】在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
A、正确
B、错误
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7、【判断题】可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。
A、正确
B、错误
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8、【判断题】直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。
A、正确
B、错误
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测验
1、【单选题】以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是
A、易挥发，高浓度磷原子不能掺入硅熔体
B、高浓度磷掺入的微缺陷难以准确显示
C、磷的分凝系数过高，导致轴向掺杂不均匀
D、高浓度磷容易造成组分过冷，导致多晶
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2、【单选题】以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是
A、是直拉硅中浓度最高的杂质
B、主要来源于坩埚的污染
C、对于硅晶体而言完全是有害杂质，需要去除
D、过饱和会形成氧沉淀，影响硅晶体的电学性质
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3、【单选题】以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是
A、一般处于替位态
B、在现在的制造技术中浓度一般小于10的16次方每立方厘米
C、会促进氧沉淀的形成
D、在机械性质上对硅晶体有益
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4、【判断题】直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。
A、正确
B、错误
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5、【判断题】直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
A、正确
B、错误
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6、【判断题】直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质
A、正确
B、错误
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7、【判断题】氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质
A、正确
B、错误
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8、【判断题】直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。
A、正确
B、错误
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测验
1、【单选题】以下抑制自掺杂的方法不正确的是
A、采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅
B、采用低温外延技术
C、采用含卤原子的硅源
D、外延生长前高温加热沉底，表面形成耗尽层
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2、【单选题】以下对于硅外延生长描述不正确的是
A、不同的晶向生长速率不同，对于硅而言，<100>生长速率最快
B、温度影响硅外延生长速率，温度越高外延层的生长速率越高
C、气体和载体的比例影响硅外延生长的速率，存在一个最佳比例生长速率最高
D、生长速率随着气体流量的增加而增大
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3、【单选题】以下不是外延硅的主要缺陷
A、层错
B、氧沉淀
C、位错
D、夹层
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4、【单选题】以下对于非晶硅薄膜描述错误的是
A、非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同
B、非晶硅的光吸收系数高于单晶硅，有利于光电转换
C、由于非晶硅薄膜中存在比较高的缺陷和局域态密度，通常不能进行掺杂
D、非晶硅的能带结构与晶体硅相同，禁带宽度均为1.12 eV
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5、【判断题】外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
A、正确
B、错误
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6、【判断题】硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。
A、正确
B、错误
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7、【判断题】目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技术和智能剥离技术。
A、正确
B、错误
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8、【判断题】硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两个硅表面的羟基团吸引形成氢键所致。
A、正确
B、错误
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