WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM

WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管
WSB5543W
中功率肖特基势垒二极管

特征

1.0AAverage整流正向电流
沟槽MOS肖特基技术
低正向电压，低漏电流小包装SOD-323F

应用

FAE:13723714318
开关电路
中电整流
绝对最大额定值
参数符号值单位
反向电压（重复峰值）VRM 40 V.
反向电压（DC）VR 40 V.
平均整流正向电流（1）IO 1.0 A.
正向峰值浪涌电流（2）IFSM 7 A.
结温TJ -55~150℃
工作温度Topr -55~150 OC
储存温度Tstg -55~150℃

电子特性

（TA = 25oC）
参数符号条件最小值典型。最大。单元
正向电压（3）VF IF = 1.0A - 0.48 0.57 V.
反向电流IR VR = VR - 8 50 uA
结电容CJ VR = 1V，F = 1MHz-80-pF
热阻（4）RθJSP结到焊点 - - 60 K / W.

WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM相关推荐

WSB5524D-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM
WSB5524D中功率肖特基势垒二极管特征 1.5A平均整流正向电流低正向电压,低漏电流 FBP包应用 WILLSEM FAE:13723714318 开关电路中电整流绝对最大额定值参数符 ...
WSB5523D中功率肖特基势垒二极管WILLSEM
WSB5523D中功率肖特基势垒二极管特征整流正向电流低正向电压漏电流低 FBP包应用 FAE:13723714318 开关电路中电整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压(重复峰值 ...
WSB5521F-3/TR肖特基势垒二极管WILLSEM
WSB5521F-3/TR WSB5519F/5520F/5521F/5522F 肖特基势垒二极管特征极快的切换速度 FAE:13723714318 标准产品无铅和无卤绝对最大额定值电子特性( ...
RB521C30-2/TR肖特基势垒二极管WILLSEM封装SOD923
特征 100mAAverage整流正向电流低正向电压漏电流低小包装SOD-923 应用 FAE: 13723714318 低电流整流绝对最大额定值参数符号值单位反向电压(重复峰值)VRM ...
肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）
肖特基二极管 Schottky diode 图片: =150) window.open('http://bbs.ccit.edu.cn/kepu/100k/123.asp/Mon_0605/84_3_ ...
碳化硅SiC MOSFET:低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电阻并 ...
最新成果展示：利用缺陷信息数据库探索界面工程，助力GaN基肖特基势垒二极管的研究
在电力电子器件的外延生长和器件制备过程中,特别是对于具有凹槽结构的GaN基肖特基势垒二极管(TMBS)而言,ICP刻蚀将不可避免地损伤材料的表面,产生大量的缺陷,最终牺牲器件的击穿电压.导通电阻等性能 ...
WS4665D-8/TR单通道负载开关WILLSEM封装DFN2x2-8L
WS4665 6A,14mΩ负载开关,带快速输出放电和可调节的上升时间描述 WILLSEM FAE: 13723714318 WS4665是一款单通道负载开关提供可配置的上升时间以最小化浪涌当前. ...
html tr中可以有br吗,html table tr td br 什么意思缩写
代表表格中的一行代表表格中的一列 'TR'与'TD'交成一个单元格之间有多少个,就有多少行...之间有多少个,就有多少列 table> 单元格1单元格2单元格3单元格4 该例在浏览器中将显示如 ...

WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM

特征

应用

电子特性

WSB5543W-2/TR中功率肖特基势垒二极管WILLSEM相关推荐

最新文章

热门文章