完整是一个含糊不清的词.它可能意味着不同的温度,电压以及具有不同元件容差的一系列器件.当你站点MemTest86时,我想我明白了.我见过的大多数项目都是基于C的,无法测试所有内容.

有记录的算法,如行走位等.很大程度上取决于你的RAM类型.我想你有某种类型的SDRAM. SDRAM有许多不同的周期.有单拍读/写,银行到银行转移,终止突发等.

就个人而言,我们有一个系统,当通过以太网(DMA)进行SSH传输时,5％的电路板会出现问题. SSH涉及加密,这是CPU /内存密集型,DMA引擎通常执行与CPU(带缓存)不同的SDRAM周期.

这是一些要求,

>用于驻留代码的非SDRAM内存.

>裸金属框架(无缓存,中断,DMA等)

>关闭DCache.

>打开代码的ICache.

另一个限制要求是运行时间.完整的SDRAM测试可能需要数年才能在单板上运行.我发现伪随机地址/数据测试效果很好.只需获取与SDRAM大小相关的数字,并将其用作增量.最简单的情况是1.您可能希望找到其他人不断更改行,库和设备大小;银行规模-1例如;然而素数会更好,因为你有不同的位数一直在变化.关闭缓存后,您可以使用char,short,int和long long指针来测试一些不同的突发长度.这些测试会很慢.您将需要使用ldm / stm对来模拟完整的SDRAM突发,这些更常见于缓存,因此您应该使用ldm / stm来模拟它们.这也是最快的测试之一.

typedef unsigned char b8;

typedef unsigned short b16;

typedef unsigned long b32;

typedef unsigned long long b64;

/* Use a macro to speed code. The compiler will use constants for

* _incr and _wrap instead of registers which cause spilling. A

* macro centralizes the memory test logic.

*/

#define MEMTEST(name,type,_incr,_wrap) ...

/* Sequential tests. */

MEMTEST(do_mem_seq8, b8, 97, 1)

MEMTEST(do_mem_seq16, b16, 50839, 1)

MEMTEST(do_mem_seq32, b32, 3999971, 1)

MEMTEST(do_mem_seq64, b64, 3999971, 1)

/* Random tests. These test try to randomize both the data and the

* address access.

*/

/* 97/0x61 prime for char and 9999991/0x989677 prime for 64MB. */

MEMTEST(do_mem_rnd8,b8,97,9999991)

/* 50839/C697 large prime for 64k and 9999991/0x989677 prime for 64MB. */

MEMTEST(do_mem_rnd16,b16,50839,9999991)

/* 3999971/3D08E3 prime and 9999991/0x989677 prime for 64MB. */

MEMTEST(do_mem_rnd32,b32,3999971,9999991)

/* 3999971/3D08E3 prime and 9999991/0x989677 prime for 64MB. */

MEMTEST(do_mem_rnd64,b64,3999971,9999991)

incr是数据增量,wrap是地址增量.突发的算法将是相同的.这是一些内联gcc汇编程序,

register ulong t1 asm ("r0") = 0; \

register ulong t2 asm ("r4") = t1 + incr; \

register ulong t3 asm ("r6") = t2 + incr; \

register ulong t4 asm ("r8") = t3 + incr; \

/* Run an entire burst line. */ \

__asm__ (" stmia %[ptr], {%0,%1,%2,%3}\r\n" : : \

"r" (t1), "r" (t2), "r" (t3), "r" (t4), \

[ptr]"r" (start + (addr<<2)) : \

"memory" ); \

/* Read four 32 bits values. */ \

__asm__ (" ldmia %[ptr], {%0, %1, %2, %3}\r\n" : \

"=r" (t1), "=r" (t2), "=r" (t3), "=r" (t4) : \

[ptr]"r" (start + (addr<<2)) ); \

这些测试很简单,应该适合代码缓存,这将最大限度地增加RAM的压力.我们的主要问题是DQS延迟,这对DDR-SDRAM至关重要,可能与温度和电压有关,并且会随PCB布局和材料而变化.

如果要使用SDRAM芯片优化存储器控制器寄存器,则可以使用Cachbench.它也可能对测试有用.

另请参阅：Unix Stack Exchange (same question).我在Linux下使用了这些基于C的测试套件,但它们在我们的案例中没有暴露任何问题.对于上面描述的内容,memtest86 algorithms可能没有压力(对于PCB故障);虽然测试7或burnBX测试很接近.我认为memtest86可以解决DRAM芯片问题,而不是电路板设计问题.

编辑：另一个问题是与SDRAM芯片的瞬态/串扰.如果您的设备驱动程序是高电流或高频设备,SDRAM接口可能会发生串扰,或者由于电源变化而获得双时钟.因此RAM测试可能没有问题,SDRAM错误仅在使用特定硬件部分时发生.另外请注意,Android设备不使用动态时钟并更改SDRAM频率.当时钟改变时,信号可以穿过共振.