不同的stm32单片机的flash大小不同，这个需要查阅芯片手册或者查看STM32CubeMX软件。

stm32的flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小，要操作flash时注意不要超出此范围。

Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据，和一些用户自定义的保存数据，它断电不丢失。

不同型号的单片机对flash的操作方式略有不同。下面我以自己用到的STML4R9VIT6为例贴上代码。

STM32的内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器、 OTP 区域以及选项字节区域，具体分部查看响应的数据手册。

flash的写机制，只能将存储区域的1改为0，从0改为1只能选择擦除(页擦除或者扇区擦除)，一次性擦除多个字节。

flash的读机制，只需要从flash的地址中读取数据就行了，可以字节读取，也可以按字读取。具体操作看代码。

首先需要说明的是，stm32内部flash空间包含多个用途，在保存自定义的数据时，千万不要去操作正在使用的区域。

其次，stm32是小端模式，数据的高字节保存在内存的高地址中， 而数据的低字节保存在内存的低地址中， 这种存储模式将地址的高低和数据位权有效地结合起来， 高地址部分权值高，低地址部分权值低。

//针对STM32L4R9VIT6单片机,通过地址获取所在页的函数如下

uint32_t getPage(uint32_t Address)//获取地址所在的

{

uint32_t page = 0;

if (Address < (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE))

page = (Address - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;

else

page = (Address - (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE)) / FLASH_PAGE_SIZE;

return page;

}

//这是获取bank的代码

uint32_t GetBank(uint32_t Addr)

{

uint32_t bank = 0;

if (READ_BIT(SYSCFG->MEMRMP, SYSCFG_MEMRMP_FB_MODE) == 0)

{

if (Addr < (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE))/* No Bank swap */

bank = FLASH_BANK_1;

else

bank = FLASH_BANK_2;

}

else

{

if (Addr < (FLASH_BASE + FLASH_BANK_SIZE))/* Bank swap */

bank = FLASH_BANK_2;

else

bank = FLASH_BANK_1;

}

return bank;

}

//这是擦除函数,stm32在写数据之前,都需要先把地址中的数据擦除成0xFF,然后才能写数据

FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;

uint8_t eraseFlash(uint32_t start_addr,uint32_t end_addr)//擦除flash

{

uint32_t BANK;

uint32_t FirstPages = 0,LastPages = 0, NbPages = 0;

uint32_t pageError = 0;

HAL_FLASH_Unlock(); //首先解锁flash

FirstPages = getPage(start_addr); //获取要擦除的第一个页

LastPages = getPage(end_addr);

NbPages = LastPages - FirstPages + 1; //获取擦除的页数量

BANK = GetBank(start_addr);//判断地址的Banks是1还是2

/* Fill EraseInit structure*/

EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;//页擦除

EraseInitStruct.Banks = BANK;

EraseInitStruct.Page = FirstPages;

EraseInitStruct.NbPages = NbPages;

if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &pageError) != HAL_OK)

{

HAL_FLASH_Lock(); //上锁

return 2;//擦除有错误,返回2

}

//下面这些是清除标志位

__HAL_FLASH_DATA_CACHE_DISABLE();

__HAL_FLASH_INSTRUCTION_CACHE_DISABLE();

__HAL_FLASH_DATA_CACHE_RESET();

__HAL_FLASH_INSTRUCTION_CACHE_RESET();

__HAL_FLASH_INSTRUCTION_CACHE_ENABLE();

__HAL_FLASH_DATA_CACHE_ENABLE();

HAL_FLASH_Lock(); //上锁

return 0;

}

其中有个重要的东西是FLASH_EraseInitTypeDef结构体

typedef struct

{

uint32_t TypeErase; //页擦除和块擦除

uint32_t Banks; //选择擦除的bank区域

uint32_t Page; //擦除的起始页

uint32_t NbPages; //要擦除的页数

} FLASH_EraseInitTypeDef;

然后下面是写flash操作

__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);//清除flash标志位

eraseFlash(ADDR_FLASH_START,ADDR_FLASH_END);//擦除要写入的flash地址的数据

HAL_FLASH_Unlock();//解锁flash

HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, ADDR_FLASH_START, (uint64_t)data);//写数据

HAL_FLASH_Lock();//上锁

这里详细解说一下HAL_FLASH_Program()函数，函数原型如下

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)；

/*

返回值类型如下

typedef enum

{

HAL_OK = 0x00,

HAL_ERROR = 0x01,

HAL_BUSY = 0x02,

HAL_TIMEOUT = 0x03

} HAL_StatusTypeDef;

可以用返回值是否等于HAL_OK来判断是否写入成功.

参数TypeProgram是按什么类型写入数据,不同的stm32支持的数据类型不尽相同,需要自己查看程序定义,

支持的数据类型有按字节/半字/字/双字.

参数Address是要写的flash地址,这里需要注意的是,如果要写入两次数据,第二次写入时地址需要做偏移.一个地址对应一个字节.见如下实例.

*/

//如果是按字节写入(stm32L4R9VIT6不支持这种方式)

uint8_t a=1;

uint8_t b=2;

HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, addr, a)；//第一次写数据

HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, addr+1, b)；//第二次写数据,需要地址偏1

//如果是按双字写入(stm32L4R9VIT6支持)

uint64_t a=0x12345678;

uint64_t b=0x87654321;

HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr, a)；//第一次写数据

HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, addr+8, b)；//第二次写数据,需要地址偏8

//这里不同的是,按字节写入,占用一个地址的数据,所以偏移1,按双字写入,占用8个地址的数据,所以偏移8

读数据就很简单了

//读取操作中不需要加锁和解锁,直接一句代码即可完成一次数据的读取操作

//按字节读取

uint8_t a = 0;

a = *(__IO uint8_t*)(start_addr);

//按双字读取

uint64_t a = 0;

a = *(__IO uint64_t*)(start_addr);

//这里依然要注意读取多个数据时地址偏移量的问题,字节偏移1,半字偏移2,字偏移4,双字偏移8

另外,一个比较方便的操作,是读写结构体。这种操作可以很容易的获取和保存多个数据，从而不需要数组赋值

比如我们要保存如下结构体

typedef struct _userinfo//保存的信息

{

uint8_t id;

uint8_t ip[16];//ip

uint16_t port;//端口

}USERINFO;

USERINFO User_Info = {1,"192.168.0.1",8808};

__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

eraseFlash(ADDR_FLASH_USER_START,ADDR_FLASH_USER_END);

HAL_FLASH_Unlock();

for(uint8_t i = 0;i < sizeof(USERINFO);i+=8)

{

if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, ADDR_FLASH_USER_START+i,*((__IO uint64_t*)(&userinfo->id+i)))!= HAL_OK)//这里的数据由于是结构体,需要从里面取值,一定要以第一个成员的地址开始偏移,不能使用结构体自身的地址来偏移,否则数据会出错

{

HAL_FLASH_Lock();

return 1;

}

}

HAL_FLASH_Lock();

//为了避免数据出错,读操作一定要和写操作对应,写是按双字写,读就要按双字读,否则就需要解决大小端的问题

for(uint8_t i = 0;iid+i)) = *(__IO uint64_t*)(ADDR_FLASH_USER_START + i);//注意赋值的左边,必须要用结构体第一个成员的地址来偏移,双字偏移量是8

}

//这样获取的结构体内容,可以直接通过结构体变量或者结构体指针来访问了.