Flash之SM25QH128M、JFM25F32A读写操作FPGA Verilog实现

JFM25F32A Flash写操作流程如图1所示，对于Flash类型的存储器，向已经存在数据的单元写入数据时，直接写入是无法写入的，在写入之前必须先执行擦除命令，再进行写入即可；如果待写入的单元为新的单元（“FF”），则可以直接写入数据。下面为Flash写操作的流程，如果写入的单元为新的数据单元，则写操作中的擦除流程可以取消掉。

1. JFM25F32A操作指令(instruction)的规则

（1） JFM25F32A Flash存储单元的地址为24bit ADDR[23:0]，每一个基本存储单元容量为一个字节；
（2）数据移位时，高位在前，低位在后；
（3）页编程命令至少需要一个字节的数据，最多256个字节的数据；
（4）每一个操作指令通过SPI接口独立的写入，CS#下降沿开始每一个指令的传输，CS#上升沿结束本次命令，执行相应的操作写入相应的指令即可；
（5）在向存入数据的单元写入数据时，必须先进行擦除操作，再写入相应的数据；

2 指令列表

3. JFM25F32A的状态寄存器

JFM25F32A有两个状态寄存器，状态寄存器1（S7-S0），状态寄存器2（S15-S8）两个，具体的位分布如下：
表2状态寄存器1
S7 S6 S5 S4 S3 S2 S1 S0
SRP0 SEC TB BP2 BP1 BP0 WEL WIP
表3状态寄存器2
S15 S14 S13 S12 S11 S10 S9 S8
R CMP ERR R R LB R SRP1
注：在进行读写操作时，我们只需要读状态寄存器1，判断其中的WEL位于WIP位即可，状态寄存器2以及状态寄存器1的其他位不需要关注。

4 编程注意事项
编写Flash驱动程序时，除了在保证驱动时序正确的情况下，还应该关注相应操作所需的时间条件，即：每一次执行相应的命令至少需要的时间，这些参数告诉我们，即使这个指令发送完毕，也不能立即操作，也需等待这么久的空闲时间才能进行下一次操作，特别是在擦除操作、写操作必须满足相应的时间；这些参数的获取在器件手册的交流参数表中获取。JFM25F32A的关键交流参数如表5。
符号参数含义 MIN TYP(典型) MAX
Tpp 页编程时间 — 5ms
Tse 扇区擦除时间 300ms
Tbe 区块擦除时间 3s
Tce 全芯片擦除 12s 100s
注：在使用时必须注意这些参数，否则有可能导致读写操作失败，数据写不进去，或者第一个数据写进去。
5 JFM25F32A相应操作时序图
以下的所有时序图，均是在SPI模式下操作Flash的时序图。
（1）读状态寄存器时图

（2）写使能时序图

（3）扇区擦除时序图

（4）页编程时序图

（5）读操作时序图

创作不易，如果笔者的搓作对您有帮助，请您点赞关注一下；如果需要提供基于FPGA Verilog的Flash操作帮助，可以在下方评论。联系邮箱：cwnult2021@163.com

Flash之SM25QH128M、JFM25F32A读写操作FPGA Verilog实现相关推荐

FLASH的基本原理与读写操作笔记
一.概念: 每个文件对应多个block,每个block对对应多个扇区sector,每个sector对应有多个页. 一般一个扇区(sector)多个页(page) , 一个块 (bank)又有多个扇区 ...
ESP8266 Flash的分布及其读写操作
读写操作API 基本操作 (1) spi_flash_erase_sector 功能擦除 Flash 的某个扇区. 函数定义 SpiFlashOpResult spi_flash_erase_sec ...
【FPGA】SPI协议详解及对flash读写操作
FPGA基于SPI实现对flash读写操作概括一.SPI协议.flash讲解 1.SPI协议 2.flash (1)WREN (2)RDID (3)WRSR (4)READ (5)PP (6)SE ...
FPGA中用verilog直接读写操作SDRAM
1 简介 SDRAM 型号为MT48LC32M16A2.SDRAM,英文名是: Synchronous Dynamic Random Access Memory,相较于 SRAM(静态存储器), SD ...
FPGA — BRAM学习笔记—读写操作
使用软件: Vivado 开发板: EGO1采用Xilinx Artix-7系列XC7A35T-1CSG324C FPGA BRAM笔记 BRAM介绍同步双端口BRAM BRAM读写操作 (1)读操 ...
STM32：Flash擦除与读写操作（HAL库）
应用平台:STM32F030F4P6 ST官方库:STM32Cube_FW_F0_V1.9.0 背景知识绝大多数的单片机和微控制器(ARM,x86),地址空间都是以字节为单位的,也就是说一个地址是一 ...
NAND FLASH 读写操作简介
NAND FLASH 内存详解与读写寻址方式一.内存详解 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体.擦除一个区块就是把所有的位(bit)设 ...
NAND FLASH的读写操作（硬件原理图分析）
转载:NAND FLASH的读操作及原理硬件原理上面是我使用的NAND FLASH的硬件原理图,面对这些引脚,很难明白他们是什么含义,下面直接引用韦东山老师的课程中的提问: NAND FLASH是 ...
Esp8266的Flash读写操作以及Flash上传文件
1.Flash的读写操作 Esp8266的Flash为4M,其中1M用于存储程序,其他的空间有一部分用于系统,3M中剩下的大部分空间可以用来存放文件. #include <FS.h> St ...

Flash之SM25QH128M、JFM25F32A读写操作FPGA Verilog实现

Flash之SM25QH128M、JFM25F32A读写操作FPGA Verilog实现相关推荐

最新文章

热门文章