USB PD快充协议芯片

USBPD协议芯片，USBPD快充协议芯片，USBPD3.0快充协议芯片，PD芯片RK837.支持USB PD3.0 Type C控制器协议芯片目前高科技设备肯定会越来越多，那么充电器的发展前景可谓是无限大的，在未来的充电器市场里，PD快充协议芯片更有前景，因为就现在的生活而言，手机、电脑几乎是没有替代品的，而且用的人会越来越多，这样对于充电设备的使用肯定也会越来越大，因为充电器这些产品是给高科技产品功能的主要途径之一。所以，要生产一款高效能、充电快捷的充电器，车充，移动充电电源选择 PK837快充协议芯片

一、PK837PD快充协议芯片功能

◼支持一个USB Type-C端口和一个Type-A端口

◼支持USB PD 3.0，C型PHY和协议，PD TID号是5141

◼支持QC4 +协议，报告编号为QC20210303222

◼集成BMC收发器和PHYMCU MCU提供的其他专有协议支持

◼集成Cortex-M0、64K字节程序空间，和2K字节RAM

◼DP / DM引脚可以配置为UART模式，BC1.2模式和GPIO模式

◼DP2 / DM2引脚可以配置为BC1.2模式和GPIO模式CC CCCV控制器

◼3〜22V，10mV / step（11bits）CV输出

◼0.1A〜12A，步进12mA（5mohm Rsense）高精度ADCtes集成10通道电压ADC

◼1通道电流ADC

◼其他功能和保护

◼集成了N-MOSFET驱动器以进行输出控制tes集成了一个快速放电的N-MOSFET

◼集成了VBUS放电电路

◼集成了一个低功耗RC振荡器，3定时器/ PWM和WDT

◼保护：OCP，OVP，UVP，OTP

◼FN QFN-24 4x4mm封装

二、PK837PD快充协议芯片介绍

RK837是USB PD3.0 Type C控制器，用于适配器，支持一个USB Type-C端口和一个A型端口。它集成了Cortex-M0，闪存和RAM来处理PD协议，策略引擎和设备策略管理器。它的内置BMC用于USB PD通信。次级侧CC和CV环路调节内置放大器来代替TL431。高增益和高精度电流检测放大器，降低功耗在感测电阻器中。一个10位DAC调整CC和一个11位DAC调整CV。

RK837还集成了PD3.0协议适配器。M0内核，64K字节闪存空间，2K字节RAM实现PD3.0或其他协议。 C型PHY和BMCPHY还集成在RK837中。借助高精度ADC，不仅可以持续监控电压，电流，温度等系统参数，还可以通过PD3.0协议与手机进行通讯各种需求。所有GPIO均可配置为ADC输入或边沿触发中断。可以将DP / DM引脚配置为UART模式和BC1.2模式。它支持I2C接口。RK837集成了一个输出开关N-MOSFET 集成了VCC和VBUS放电功能PD要求。

三、PK837PD快充协议芯片PCB 设计注意事项
1. 837 的 CSP/CSN 电流采样线，按照差分规则从采样电阻内侧走线，无阻抗要求；线上的滤波电容靠近 CSP/CSN 的管脚放置；CSP/CSN 电流采样线避免 DP、DM、CC1 和 CC2 的走线重叠一起，减少干扰。
2. DISCH 引脚建议串 0805 封装 100R 电阻到 VCC，整条放电回来走线尽量粗。
3. EPAD 接地焊盘要有足够的过孔，建议保证 4 个 0.5*0.3mm，背面 GND 要连续，以便于热量传导。
4. NTC 电阻的位置要靠近 Type-C 座子，当电流过大时，座子的发热较严重，可及时采集温度起到过温保护。
5. 所有电源滤波电容应尽量靠近芯片管脚布局，电流需先流经电容，再进入芯片；双面贴的板子，去耦电容务必放在对应的电源管脚正背面，特别是 10uF 以上容量的电容（在满足限高的条件下）；而
单面贴的板子，去耦电容要尽可能放置在靠近芯片的地方，如果有换层要尽可能的多打过孔（包括电容的 GND 过孔）
6. 所有 TVS 保护管尽量靠近连接座放置，走线拓扑为：连接座--->TVS 管--->IC；出现 ESD 现象时，ESD 电流必须先经过 TVS 器件衰减；TVS 器件不能带来过长的分支走线；
7. VCC 与 VBUS 引脚走线取电，尽量靠近 VBUS（mos），减小 VCC 与 VBUS 之间的走线阻抗。

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