单元二：全桥MOS/IGBT电路（后端全桥电路的搭建）

本篇博客是全桥MOS/IGBT电路搭建的介绍，想了解全桥电路的驱动部分请看博主的单元一：全桥驱动电路详解。感兴趣的可以添加博主QQ：2859340499.
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逆变电路（Inverter Circuit）是与整流电路（Rectifier）相对应，把直流电变成交流电称为逆变。逆变电路可用于构成各种交流电源，在工业中得到广泛应用。为了提高所设计的激励电源输出功率和工作频率， **逆变电路采用全桥逆的方式，相对于单管和半桥逆变电路，全桥逆变的输出功率更高、开关损耗更小、可接纳的控制方式更多。**全桥逆变电路如下图所示（谁都知道）：

全桥逆变电路看着十分的简单，但是设计不好往往会出现大问题。在这里我总结了设计全桥电路的三个要点：

MOS/IGBT的栅极引脚部分的电路：
简单来说就是驱动全桥电路就是驱动信号驱动MOS/IGBT的栅极，但是驱动信号直接送到栅极上是不可以的，因为MOS/IGBT栅极结构原因，存在电容，如果驱动信号不辅助栅极部分的硬件电路会使MOS/IGBT一直导通，造成全桥电路中的四个管全部导通，结果可想而知。解决方案比如下图所示**（文末的硬件电路中对这部分进行了改进）。**
MOS/IGBT的保护电路;
MOS/IGBT管具有较脆弱的承受短时过载能力，所以在应用时必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。常见的保护电路有很多种，比如RC保护电路或者RCD保护电路。本次设计采用的是RCD 缓冲吸收电路和MOS管构成全桥逆变电路，将直流高压电转换为交流激励信号。
3. 全桥电路的器件选型问题：
全桥电路中每一个器件的选型都尤为重要，可能哪一个器件的承受值不满足可能会造成整个全桥电路瘫痪。比如MOS管的选型，在计算最大工作频率时要关注MOS管的上升和下降时间，以及保护电路的器件特性等，其中涉及到的知识很多，在这里就不一一介绍了。

本次设计的全桥逆变电路（IRFP460MOS管、水泥电阻、聚酯膜电容以及快恢复二极管等），其中最高工作频率以及耐压耐流主要看所选择的器件（IGBT工作频率会低一些，但是耐压耐流值高）。下图时全桥逆变电路的输出波形：

下图是本次设计中采样电阻采到的波形（可以看出峰峰值电流达到100A）。

最后附上硬件电路图吧（经过实测，感兴趣的可以咨询博主）：
如果对其中有不明白的，或者想深入了解全桥电路，对其中的电路图等资料感兴趣的可以添加博主QQ：2859340499
到这里（加上之前写的单元一：全桥驱动电路部分）相信已经可以将直流电转化成交流电了，但是所产生的交流电能百分之百的传输到负载上么，这里就需要阻抗匹配的知识了，将在下一部分单元三及进行详细讲解。

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