关于RAM，ROM，EEPROM，FLASH,DDR，CACHE

今天来讲讲RAM和ROM，以及一大堆它们的后代

手机和电脑的RAM和ROM概念是差不多的，由于RAM被称为随机存取内存，也就是运行内存，就是我们说的电脑8G内存，或者是手机6G内存，RAM它支撑的是手机和电脑软件的运行，存放手机和电脑软件运行后进行的数据交换等工作。通俗的讲，RAM决定了您的手机可以开多少后台程序，当然，RAM越大，手机的运行速度就越快。一旦手机关机，RAM中的数据就丢失，开机后也不会恢复，至于为啥苹果3G的体验感比你Android6G还要好，这里面就涉及到操作系统了。

RAM（random access memory）即随机存储内存，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM可以又有一大堆儿子，例如FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，其中我们听的最多就是DDR RAM，就是现在的电脑内存条和显卡啊DDR3和DDR4，假如没听过。。。emmmm那就。。。。，没事现在已经听到了。从我的垃圾手提也可以看到了，哎，想换电脑的苦逼

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

接下来要讲的是我们在买电脑的时候看到的一级二级三级缓存

由于电脑CPU工作速度太快，但是啊我跟不上啊，大哥你跑这么快有啥用，所以需要一个缓冲带，减减速度，也就是高速缓存CACHE了

CPU一般先从一级缓存找数据，找不到就去二级缓存找，再找不到就去三级缓存找，还是没有的话。。。CACHE硬件会将内存中这个数据和这个数据段拷贝到CACHE中，下次访问就有很大可能找到。

哈哈，有小伙伴仔细看的话，会发现上图写着无二级缓存，为什么呢？哈哈就不告诉你。

下面来一张关于S5P6818关于CASHE的工作原理

ROM（Read-Only Memory）即只读内存，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。

然而，ROM被称为只读内存，即只能读不能随意写，也就是只能读取里面的数据，而不能随意修改和删除里面的数据，就像手机里SD卡用来存放照片音乐，电源。说好了不能写，为什么我们还可以存进去但是，为什么我们可以在里面存储照片呢？

关于ROM的发展大概是ROM->PROM->EPROM->EEPROM,

P（Programmable）E（Electrically）E（Erasable）

PROM是可以进行一次擦除，也就是你自能犯错一次。。。喔；

EPROM一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除，我特么写代码写了一半然后去晒紫外线？

上述的我觉得可以淘汰。。。哈哈，，，不一定。。。

EEPROM也就是Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory 我经常用到就是这个家伙还有FLASH（单片机里）

FLASH跟EEPROM有着什么关系呢？

FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低。

FLASH相对于EEPROM做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，自然也就降低了成本。上M的ROM一般都是FLASH。

一般在单片机上面我们都会看到FLASH是用来存储程序，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。

然而FLASH还没有结束，第一次知道这个东西的时候是在一块A8（忘记了A8还是ARM9）的板子上的什么NOR FLASH启动还是NAND FLASH启动？

先讲一下什么事NOR FLASH和NAND FLASH再来说这个问题，来一张图更加实际

一般呢NOR称为CODE FLASH，用来存储程序代码，可以直接让MCU直接读取，但是容量小，价格贵；

NAND FLASH 一般是用来存储数据的，容量大，读取数据快，价格便宜。

现在说一下上面讲到的那个NOR和NAND启动问题？没兴趣可以忽略丢。。。。。。。

NAND启动：NAND FLASH启动的时候Nand控制器会将前4K代码数据搬到内部SRAM中(地址为0x40000000),同时还把这块SRAM地址映射到了0x00000000地址。CPU从0x00000000位置开始运行程序。

NOR FLASH启动：0x00000000就是NOR FLASH实际的起始地址，NOR FLASH中的程序就从这里开始运行，不涉及到数据拷贝和地址映射。

我知道也就这些了。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

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