TPS7250QDR低压差(LDO)稳压器

描述
TPS72xx系列低压差(LDO)稳压器提供了低电压、微功率操作和小型化封装的优点。与传统的LDO稳压器相比，这些稳压器具有极低的过电压和静止电流的特点。在小轮廓集成电路(SOIC)封装和8端薄收缩小轮廓(TSSOP)中提供，TPS72xx系列设备是理想的成本敏感的设计和设计的董事会空间是溢价的。
品牌：TI
型号；TPS7250QDR
封装：SOP8
包装：2500
年份：16+
产地：MY
数量：25000
新的电路设计和工艺创新的结合使得通常的pnp通晶体管被一种PMOS器件所取代。因为办公室通过元素表现得像一个低值电阻,跌落电压很低——最多85 mV在负载电流100毫安(TPS7250)和负载电流成正比(见图1)。自从PMOS voltage-driven设备,通过元素的静态电流很低(300 uA最大)和稳定整个范围的输出负载电流马马(0 - 250)。本产品适用于便携式系统，如笔记本电脑和手机，低电压和微功率的操作导致系统电池的使用寿命显著增加。FAE：13723714318
TPS72xx还有一个logic-enabled睡眠模式关闭监管机构,降低静态电流0.5 uA最大值TJ = 25°C。其他功能还包括一个功耗良好的功能，可以报告低输出电压，并可用于实现开机复位或低电池指示灯。
TPS72xx有2.5-V、3-V、3.3-V、4.85-V和5-V固定电压版本和可调版本(1.2 V - 9.75 V可编程)。输出电压公差指定为在线路、负载和温度范围内最大2%(可调版本为3%)。FAE：13723714318
TPS72xx使用PMOS传输元件来显着降低压差和电源电流
更传统的PNP传输元件LDO设计。 PMOS晶体管是一种电压控制器件，
与PNP晶体管不同，随着输出电流的增加，不需要增加驱动电流。电源电流在TPS72xx中，从空载到最大值基本保持不变。
限流和热保护可防止过大的输出电流和/或功耗造成的损坏。器件在大约1 A时切换到恒流模式;进一步的负载增加会降低输出
电压而不是增加输出电流。如果结点，热保护会关闭调节器温度升至165°C以上。结温降低约5°C时自动恢复
低于高温跳闸点。 PMOS传输元件包括安全导通的后二极管当输入电压电平低于输出电压电平时反向电流。使能输入EN上的逻辑高电平关闭输出，并将电源电流降至0.5μA以下。

EN应该在不使用关闭功能的应用中接地。电源良好（PG）是开漏输出信号，用于指示输出电压状态。比较器电路
持续监控输出电压。当输出降至其标称调节值的约95％时值，比较器打开并将PG拉低。
如果在选择输入时没有采取适当的措施，瞬态负载或线路脉冲也可能导致PG激活和输出电容器。如果高ESR输出，超过5μs的负载瞬态可能会在PG上产生信号使用电容器（大于约7Ω）。使用输出时，1-μs瞬态会产生PG信号ESR大于3.5Ω的电容器。值得注意的是瞬态期间的输出电压尖峰如果瞬态持续时间很短，则可以远低于复位阈值并且仍然不会跳闸。必须具有1μs的瞬态在使PG电路跳闸之前，电压降至阈值以下至少500 mV。 2μs瞬态跳闸PG仅为400 mV低于门槛。较低ESR输出电容有助于减少瞬态期间输出电压的下降并且应该在预期快速瞬变时使用。

虽然不是必需的，但是一个0.047-μF到0.1-μF的陶瓷旁路输入电容，连接在IN和GND之间并且靠近TPS72xx，建议改善瞬态响应和噪声抑制。一个如果预计会出现较大的快速上升时间负载瞬变，则可能需要更高值的电解输入电容并且该设备距离电源几英寸。需要一个输出电容来稳定内部反馈环路。对于大多数应用，10μF至15μF串联0.5Ω电阻的固态钽电容（见电容选择表）就足够了。最大值电容ESR应限制在1.3Ω，以便在低温下ESR加倍。图32显示了使用10μF输出电容，总ESR为1.7Ω，对5 mA至85 mA负载进行瞬态响应。也可以使用4.7μF固态钽电容与1Ω电阻串联（见图27和28）如果电容器的ESR在室温下不超过1Ω，在整个工作时不超过2Ω温度范围

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