003 CMOS功耗分析
功耗的主要来源
动态功耗：在大多数应用中占主导
- 充放电电容
- 短路电流：开关切换时在供电网络里的短路
静态功耗：随晶体管尺寸减小而上升
- 漏电流：低功耗设计中备受关注
动态功耗
降低动态功耗
直接通路功耗
I p e a k I_{peak} Ipeak依赖于
- 晶体管尺寸
- 工艺
- 温度
降低直接通路功耗
输入输出倾斜
静态功耗
温度
- 漏电流随温度指数增加
- 温度每上升~9K，漏电流翻一番
亚阈值电压
降低功耗
- 降低供应电压（主要目标）：与功耗为二次关系，但可能增加亚阈值电流
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- 减小物理电容（使用工具）：布局布线、器件大小
- 降低温度
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