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一、MTK 平台和高通平台在器件选型时都要求选择已经验证过的器件，第一步需要QVL验证

1）根据硬件原理图和EMMC 和DDR厂家的芯片资料, 确定EMMC 和DDR 64+4,型号如下：

EMMC: SamsungKLMCG4JETD_B041

DDR: H9CKNNNDATMUPR_NUH

2）、到MTK 网站

https://onlinesso.mediatek.com/qvl/_layouts/15/mol/qvl/ext/QVLHomeExternal.aspx?FilterPlatform=y 进行QVL 验证。

产品： Phone

器件： Memory

类型：可以选择分体式或一体化的

平台： 6797（自己项目的芯片）

导出 memory.xlsx，确认所选器件已经在列表中。

EMMC: SamsungKLMCG4JETD_B041 153-FBGA eMMC 64GB

DDR: H9CKNNNDATMUPR_NUH 256-FBGA LPDDR3 32Gb

二、通用

1. 查看修改 DDR

vendor\mediatek\proprietary\bootable\bootloader\preloader\custom\6797_6m_n\inc\custom_MemoryDevice.h

/*64+4*/

#define BOARD_ID MT6797_EVB

#define CS_PART_NUMBER[0] H9CKNNNDATMUPR---已经有

#define CS_PART_NUMBER[1] H9CKNNNCPTMRPR

#define CS_PART_NUMBER[2] K3QF6F60AM

#define CS_PART_NUMBER[3] K3QF4F40BM

#define CS_PART_NUMBER[4] EDFP164A3PD

#define CS_PART_NUMBER[5] MT52L512M64D4GN

#endif /* __CUSTOM_MEMORYDEVICE__ */

2. 检查MemoryDeviceList_MT6737M.xls里是否有该flash

vendor\mediatek\proprietary\bootable\bootloader\preloader\tools\emigen\MT6797\MemoryDeviceList_MT6797.xls

list里面要有custom_MemoryDevice.h里用到的emmc

5. 如果MemoryDeviceList_MT6797.xls 中没有，则需要加入对应的器件

4. out目录查看编译的flash型号，及DDR时序

// 编译时会调用emigen，emigen.pl脚本会解析MemoryDeviceList_MT6797.xls生成custom_emi.c

out\target\product\MT6797\obj\PRELOADER_OBJ\inc\custom_emi.h

四、修改DDR时序

时序示例:

Vendor

Part Number

Type

Density(Mb) Board ID

NAND/eMMC ID FW ID Nand Page Size

MT6797

五、修改DDR频率 - 需要关闭DVFS

alps\vendor\mediatek\proprietary\bootable\bootloader\preloader\platform\mt6797\src\drivers\pll2.c

void mt_pll_post_init(void)

六、修改DDR电压

alps\vendor\mediatek\proprietary\bootable\bootloader\preloader\platform\mt6797\src\drivers\emi.c

七、打开DDR重新校验 - 使每次回复出厂设置后DDR重新校验

八、附件：MTK 平台QVL 验证时提醒

1. 下载MDL及ETT bin档案，请至查讯表格最左边Attachments栏位点选档名下载。旧平台显示Qulified但是查询不到附件的，请在Step2附件下载MTK_MVG_Release查询。

2. MT6763/63T平台只支持LPDDR4X不支持LPDDR4，请采用LPDDR4X的memory请务必加上1个critical patch：ALPS03539337。

3. 在MT6735/35m/37/37m/53/37T系列平台适配nanya DRAM请参考FQA18273修改，否则有重启风险；在MT6580/70系列平台适配nanya DRAM请参考FAQ20089修改，否则有重启风险。

4. 从W1701开始，MT6582、MT6592，MT6580，MT6735/35m/37/37m的Memory验证，只到Timing ready阶段，只提供时序和ETT bin，不再做完整的测试。

5. Tohsiba 24nm NAND产品在MT6572平台上需要使用8 bit ECC算法，NAND id 需要7byte，spare size需要256 Byte。包含KSLCGBL2GA2H2A、KSLCGBL2RA2H2A、KTN0405CS_THT1、KTN0403CS_TCR1、MD5N04G02GSD2CRK、KSLCGBL2SA5H2A。配置不对有不开机的风险，请一定要使用QVLnew上release的版本。

6. Tohsiba 24nm NAND产品在MT6571平台上需要使用8 bit ECC算法，NAND id 需要7byte，spare size需要224 Byte。包括KTN0403CS_TCR1、KTN0405CS_THT1、KSLCGBL2RA2H2A、KSLCGBL2SA5H2A。配置不对有不开机的风险，请一定要使用QVLnew上release的版本。

7. MT6571/MT6572平台使用GB或JB版本的软件，并且DRAM容量在8Gb以上（含），需要上patch ALPS01676141。

8. MT6752和MT6732共用相同的ETT bin和MDL，MT6752的项目请同时查找MT6732的memory！

9. 对于Hynix eMMC5.0，0x03版本的FW不支持cache功能，0x06版本的FW有可靠性问题，有概率性的出现在开机阶段无限重启的情况。请注意，MP一定不能用0x06版的eMMC！当前Hynix正在准备新的一版FW，一修复以上可靠性问题。

10. H9TP64A8JDMCPR_KGM有批次性存在bit flip风险，请不要使用Lot number（IC上左下角一行）为MGR0Y93Q、MGOC289RQ、MGOZ367Q、MGOE072QC、MGOC251QC、MGOE072QD的批次！

11. 6572、6582、6592、6752、6732、6735、6735M、6753、6753T、6580平台搭载eMMC 5.1的时候请上patch ALPS02216993，否则无法开机。

12. Leahkinn/GCAI 的eMMC FW有bug，低概率性待机之后无法唤醒，需要保持eMMC的Vcc常开；保持Vcc常开的修改方法请参考与MDL一同release的How to keep eMMC VCC always power on.pdf 。

13. MT29TZZZ8D5BKFAH_125W_95K在Android M 上无法开机，请参考QVL上附件中的MT29TZZZ8D5BKFAH_125W_95K在Android M上的workaround solution.pdf，并按要求修改。

14. Hynix H9TP32A4GDDCPR_KGM 0x01版本FW有寿命问题，使用寿命只有3～6个月，请和Hynix确认，必须用0x02版FW的H9TP32A4GDDCPR_KG

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