《炬丰科技-半导体工艺》光刻在掩模中转移几何形状图案的过程

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：光刻在掩模中转移几何形状图案的过程

编号：JFKJ-21-198

作者：炬丰科技

光刻是在掩模中转移几何形状图案的过程，是覆盖在表面的一层薄薄的辐射敏感材料(称为抗辐射剂) ，也是一种半导体晶片。图5.1简要说明了光刻用于集成电路制造的工艺。如图5.1(b)所示，辐射为通过口罩的透明部分传播，使其暴露光刻胶不溶于显影剂溶液，从而使之直接将掩模图案转移到晶圆上。在定义模式之后，需要采用蚀刻工艺选择性地去除屏蔽部分基本层。光刻曝光的性能由三个参数决定: 分辨率、注册和吞吐量。分辨率定义：半导体晶圆上的薄膜。注册是衡量其准确性的一个指标连续掩模上的模式可以对齐或叠加在同一晶圆片上先前定义的图案。吞吐量是数量每小时可以暴露在给定掩模水平下的晶圆。

洁净室

集成电路制造设备需要一个洁净室，特别是在光刻领域，沉积在半导体晶圆和光刻掩模上的灰尘颗粒可能造成设备缺陷。如图5.2所示，空气中的颗粒附着在掩模表面的图案可以是不透明的随后转移到电路模式，从而导致不好的后果。例如，图5.2中的粒子1可能导致底层有一个针孔粒子2可能引起的收缩电流在金属流道中流动，而粒子3可能导致短路从而使电路失效。

光学平板刻法略

光阻材料略

图形转移略

电子器件略

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