纳米器件，量子点理论文献拾遗

1.西北工业大学，纳米结构理论讲稿，对纳米电子学和光电子学有系统阐释，是优秀的综述ppt。
2.Highly Efficient Multiple Exciton Generation in Colloidal PbSe and PbS Quantum Dots，以PbS量子点为分析对象，目的是解释高量子效率问题，但同时提供了量子点器件共性的数据，如PL光谱与带隙图的对应，带隙展宽与量子点尺寸，量子效率随入射光子能量增长的变大，值得参考。
对于量子效率问题，文中给出解释，当大于带隙两倍的能量的光子入射到原子上，除了会撞出一个电子，剩下的能量通过俄歇效应或者是电子声子散射耗散掉。这两种机制恰恰是竞争的，比速度。在体材料中，电子声子能量交换很快，所以只有当入射的光子能量足够高（紫外），俄歇电子足够快，才能在竞争中取得优势。而量子点中，电子声子散射受限，这个阈值能量也就不需要那么高了。
3.Band Gap Variation of Size- and Shape- Controlled Colloidal CdSe Quantum Rods，一篇实验文章，CdSe量子点尺寸会影响到PL光谱数据，也就是带隙。
4.Theory of the quantum confinement effect on excitons in quantum dots of indirect-gap materials，写出了用于计算量子点激子和激子束缚能级的哈密顿量，并且给出了计算结果。从公式和计算数据中能够清楚地看到，量子点尺寸减小，能带间隙增大的规律。但是文章中推导过程简略，还有不明之处。
5.Quantum size eSects on the exciton energy of CdS clusters，1990，文中对比了两种方法计算激子能级的优劣，一种是基于有效质量近似，另一种是更为准确的从紧束缚近似出发的。
6.PbS in polymers. From molecules to bulk solids,紧束缚近似的全过程，从公式到结果。分子轨道线性耦合，或者说是紧束缚近似本质上还是微扰法。已知的原子波函数作为零级，相应的能量作为零级本征值。分子轨道直接取两个原子轨道的线性组合
7.硒化铅胶质量子点表面电学性质改性及霍尔仿真研究，介绍了量子点的电学模型，量子点被处理为一个小球，它与周围的介质分别具有不同的介电常数。载流子在量子点内外的势场都可以用材料（量子点和周围介质）和几何结构参数来表示。电子和空穴势场的差异造成极化，极化势场对波函数的积分能够得到极化能。激子在介电受限的情况下，产生的极化能是会受到QDs材料和周围溶剂材料的介电常数的影响。
8.激子效应及其在光电子器件中的应用
体材料中激子的能量，激子类氢原子谱线，激子约化质量μ\mu是电子空穴有效质量的并联。E=(μ/ϵ2)×13.6eVE=(\mu/\epsilon^{2})\times 13.6eV，考虑到半导体中电子空穴有效质量，一般比真空质量小，又存在较大的介电常数，所以半导体总激子的电离能一般远小于氢原子的电离能。激子的空间扩展范围可以用激子的等效波尔半径描述：α∗=(m0/μ)ϵαH\alpha^*=(m_0/\mu)\epsilon\alpha^H，其中αH\alpha^H为氢原子的波尔半径。总的来说，宽禁带半导体材料，激子束缚能较大，而激子波尔半径则比较小。以GaAsGaAs为例，激子电离能不大（4meV），而激子波尔半径与晶格常数a相比则大得多，约为13nm。
激子电离能也就是激子束缚能，激子的稳定性取决于温度、电场、载流子浓度等因素。温度高了，声子散射强，激子分解；电场强了，电子空穴被拉开，激子分解；载流子浓度打了，由于自由电荷对库伦场有屏蔽作用，激子由于电场离化失效。
9.Building devices from colloidal quantum dots量子点胶体综述。

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