STM32F103 读写内部FLASH—学习笔记（野火）

STM32F103的Flash类型是NOR Flash

烧录过程：调试器→STM32的SRAM→运行→Flash

内部Flash比外部Flash更高效，原因是使用了内部总线，且工作频率是72MHz

256页（页0~页255）*2KB = 512KB

读：一个字节一个字节读取

写：按页（扇区擦除），再写（分页的意义）

对内部Flash写入

1.解锁

往Flash_KEYR写入KEY1 = 0x45670123

往Flash_KEYR写入KEY1 = 0xCDEF89AB

2.擦除扇区

1.检查Flah_SR→BSY是否忙碌

2.Flash_CR→PER置1，准备擦除页

3.Flash_AR写入指定要擦除的页

4.Flash_CR→STRT = 1,开始擦除

5.BSY = 0，擦除完成

AR寄存器，存一个地址（32位）

STM32的地址是32位的

uint16_t *p = 0x800 0000;

*p = 80;

3.写入数据

1.检查BSY是否为0

2.CR→PG = 1(编程寄存器)

3.写入操作（16位）

4.判断如果BSY = 0，写入完成

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