spinor flash和spinand flash的区别

最近学习flash时，说W25Q64是NOR flash。这个NOR flash和NAND flash的概念一直搞不清，下面是查询的相关资料。

1、结构方面：
NORflash采用内存的随机读取技术。各单元之间是并联的，对存储单元进行统一编址，所以可以随机访问任意一个字。
既然是统一编址，NORflash就可以芯片内执行，即应用程序可直接在flash内运行，而无需先拷贝到RAM。
NANDflash数据线和地址线共用I/O线，需额外联接一些控制的输入输出。

2、NOR flash有更快的读取速度
NAND flash有更快的写、擦除速度。

3、可靠性
A、寿命（耐用性）：flash写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解。
这方面NOR flash尤甚，所以NORflash不适合频繁擦写。
NOR的擦写次数是10万次，NAND的擦写次数是100万次。
B、坏块处理：NAND器件的坏块是随机分布的，在使用过程中，难免会产生坏块。所以在使用时要进行坏块管理以保障数据可靠。

4、成本和容量
在面积和工艺相同的情况下，NAND的容量比NOR大的多，成本更低。

5、易用性：
NOR flash有专用的地址引脚来寻址，较容易和其他芯片联接，还支持本地执行。
NAND flash的IO端口采用复用的数据线和地址线，必须先通过寄存器串行地进行数据存取。各厂商对信号的定义不同，增加了应用的难度。

6、编程角度
NOR flash采用统一编址（有独立地址线），可随机读取每个“字”，但NOR flash不能像RAM以字节改写数据，只能按“页”写，故NOR flash不能代替RAM。擦除既可整页擦除，也可整块擦除。
NAND flash共用地址线和数据线，页是读写数据的最小单元，块是擦除数据的最小单元。
另外，flash进行写操作时，只能将相应的位由1变0，而擦除才能把块内所有位由0变1。所有写入数据时，如果该页已经存在数据，必须先擦除再写。
（想起来STM32的FLASH模拟EEPROM中，页擦除后数据全是0XFF，就是擦除后页内所有位由0变1吧）
NOR flash可直接通过程序编程，根据地址直接读取，容量一般是M级别的
NAND flash是根据数据块来设计的，所有NAND flash容量更大，一般是G级别的。

原文链接：https://blog.csdn.net/fxltsbl007/article/details/79395078

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