Filler Cell 与 Metal Fill差异

图1 是最普通的物理图，只有VDD/VSS

图2是Dcap Cell，除了电源之外，还会有一些M1的线，所以很多公司会在routing之前去加进去Dcap，否则会有一些short、open、spacing DRC等问题。

使用金属连接之后的，普通的Gate Array Filler会被当做具有一定功能的cell 使用，图一显示的是连接之前的版图，框内的是N well，红色是有源区，蓝色条条是poly；图二是连接之后的版图。图三图四是clb 中的显示，两者在base layer 是一样的，只是在metal layer 不同。

或者称为dummy metal(冗余的金属)

为了防止与周边的线产生耦合，所以加的是一段一段的，所以家的一般是交错行的pattern，但是交错的在绕线资源很丰富的时候才能用。

考虑到电器特性，connection 最好还是连起来，相当于design 中多了很多的shelding，降低了SI影响，但是会占用一定的绕线资源，需要tradeoff。

metal fill加进来之后，对老工艺影响不大，对新工艺影响挺大的。耦合电容增加影响时序。需要在电源网络多加一点，对IR有好处。

block 边缘的metal fill与内部是有耦合的，容易漏掉，需要额外注意。

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