spice器件建模综述
转载出处 http://dwenzhao.blog.sohu.com/105020153.html
在介绍SPICE基础知识时介绍了最复杂和重要的电路描述语句,其中就包括元器件描述语句。许多元器件(如二极管、晶体管等)的描述语句中都有模型关键字,而电阻、电容、电源等的描述语句中也有模型名可选项,这些都要求后面配以.MODEL起始的模型描述语句,对这些特殊器件的参数做详细描述。
电阻、电容、电源等的模型描述语句语句比较简单,也比较容易理解,在SPICE基础中已介绍,就不再重复了;二极管、双极型晶体管的模型虽也做了些介绍,但不够详细,是本文介绍的重点,以便可以自己制作器件模型;场效应管、数字器件的模型过于复杂,太专业,一般用户自己难以制作模型,只做简单介绍。
元器件的模型非常重要,是影响分析精度的重要因素之一。但模型中涉及太多图表,特别是很多数学公式,都是在WORD下编辑后再转为JEPG图像文件的,很繁琐和耗时,所以只能介绍重点。
一、二极管模型:
1.1 理想二极管的I-V特性:
1.2 实际硅二极管的I-V特性曲线:折线
1.3 DC大信号模型:
1.4 电荷存储特性:
1.5 大信号模型的电荷存储参数Qd:
1.6 温度模型:
1.7 二极管模型参数表:
二、双极型晶体管BJT模型:
2.1 Ebers-Moll静态模型:电流注入模式和传输模式两种
2.1.1 电流注入模式:
2.1.2 传输模式:
2.1.3 在不同的工作区域,极电流Ic Ie的工作范围不同,电流方程也各不相同:
2.1.4 Early效应:基区宽度调制效应
2.1.5 带Rc、Re、Rb的传输静态模型:
正向参数和反向参数是相对的,基极接法不变,而发射极和集电极互换所对应的两种状态,分别称为正向状态和反向状态,与此对应的参数就分别定义为正向参数和反向参数。
2.2 Ebers-Moll大信号模型:
2.3 Gummel-Pool静态模型:
2.4 Gummel-Pool大信号模型:拓扑结构与Ebers-Moll大信号模型相同,非线性存储元件电压控制电容的方程也相同
2.5 BJT晶体管模型总参数表:
三、 金属氧化物半导体晶体管MOSFET模型:
3.1 一级静态模型:Shichman-Hodges模型
3.2 二级静态模型(大信号模型):Meyer模型
3.2.1 电荷存储效应:
3.2.2 PN结电容:
3.3 三级静态模型:
3.2 MOSFET模型参数表:
一级模型理论上复杂,有效参数少,用于精度不高场合,迅速粗略估计电路
二级模型可使用复杂程度不同的模型,计算较多,常常不能收敛
三级模型精度与二级模型相同,计算时间和重复次数少,某些参数计算比较复杂
四级模型BSIM,适用于短沟道(<3um)的分析,Berkley在1987年提出
四、结型场效应晶体管JFET模型:基于Shichman-Hodges模型
4.1 N沟道JFET静态模型:
4.2 JFET大信号模型:
4.3 JFET模型参数表:
五、 GaAs MESFET模型:分两级模型(肖特基结作栅极)
GaAs MESFET模型参数表:
六、 数字器件模型:
6.1 标准门的模型语句: .MODEL <(model)name> UGATE [模型参数]
标准门的延迟参数:
6.2 三态门的模型语句: .MODEL <(model)name> UTGATE [模型参数]
三态门的延迟参数:
6.3 边沿触发器的模型语句: .MODEL <(model)name> UEFF [模型参数]
边沿触发器参数:
JKFF nff preb,clrb,clkb,j*,k*,g*,gb* JK触发器,后沿触发
DFF nff preb,clrb,clk,d*,g*,gb* D触发器,前沿触发
边沿触发器时间参数:
6.4 钟控触发器的模型语句: .MODEL <(model)name> UGFF [模型参数]
钟控触发器参数:
SRFF nff preb,clrb,gate,s*,r*,q*,qb* SR触发器,时钟高电平触发
DLTCH nff preb,clrb,gate,d*,g*,gb* D触发器,时钟高电平触发
钟控触发器时间参数:
6.5 可编程逻辑阵列器件的语句:
U <name> <pld type> (<#inputs>,<#outputs>) <input_node>* <output_node>#
+<(timing model)name> <(io_model)name> [FILE=<(file name) text value>]
+[DATA=<radix flag>$ <program data>$][MNTYMXDLY=<(delay select)value>]
+[IOLEVEL=<(interface model level)value>]
其中:<pld type>列表
<(file name) text value> JEDEC格式文件的名称,含有阵列特定的编程数据
JEDEC文件指定时,DATA语句数据可忽略
<radix flag> 是下列字母之一:B 二进制 O 八进制 X 十六进制
<program data> 程序数据是一个数据序列,初始都为0
PLD时间模型参数:
七、 数字I/O接口子电路:数字电路与模拟电路连接的界面节点,SPICE自动插入此子电路
子电路名(AtoDn和DtoAn)在I/O模型中定义,实现逻辑状态与电压、阻抗之间的转换。
7.1 N模型:数字输入N模型将逻辑状态(1 0 X Z)转换成相对应的电压、阻抗。
数字模拟器的N模型语句:
N <name> <(interface)node> <(low level)node> <(high level)node> <(model)name>
+DGTLNET=<(digital net)name> <(digital IO model)name> [IS=(initial state)]
数字文件的N模型语句:
N <name> <(interface)node> <(low level)node> <(high level)node> <(model)name>
+[SIGNAME=<(digital signal)name> [IS=(initial state)]
模型语句: .MODEL <(model)name> DINPUT [(模型参数)]
模型参数表:
7.2 O模型:将模拟电压转换为逻辑状态(1 0 X Z),形成逻辑器件的输入级。
节点状态由接口节点和参考节点之间的电压值决定,将该电压值与当前电压序列进行比较,如果落在当前电压序列中,则新状态与原状态相同;如果不在当前电压序列中,则从S0NAME开始检查,第一个含有该电压值的电压序列可确定为新状态。如果没有电压序列包含这个电压值,则新状态为?(状态未知)。
数字模拟器的O模型语句:
O <name> <(interface)node> <node> <(model)name>
+DGTLNET=<(digital net)name> <(digital IO model)name>
数字文件的O模型语句:
O <name> <(interface)node> <node> <(model)name>
+[SIGNAME=<(digital signal)name>
模型语句: .MODEL <(model)name> DOUTPUT [(模型参数)]
模型参数表:
八、 数学宏模型:作为电路功能块或实验仪器插入电路系统中,代替或模拟电路系统的部分功能,有24种
8.1 电压加法器:
8.2 电压乘法器:
8.3 电压除法器:
8.4 电压平方:基本运算方程:
8.5 理想变压器:
8.6 电压求平方根:方程
8.7 三角波/正弦波转换器:三角波峰-峰值为2V,其中C=PI/2
8.8 电压相移:
8.9 电压积分器:
8.10 电压微分器:
8.11 电压绝对值:(略)
8.12 电压峰值探测器:(略)
8.13 频率乘法器:
8.14 频率除法器:
8.15 频率加法器/减法器:
8.16 相位探测器:
8.17 传输线:模拟信号延迟(略)
8.18 施密特触发器:
为避免不收敛,不使用DC扫描,将模型中加入PWL源,产生缓变上升/下降斜波,与瞬态分析效果相同
8.19 电压取样-保持电路:(略)
8.20 脉冲宽度调制器:(略)
8.21 电压幅度调制器:(略)
8.22 电压对数放大器:(略)
8.23 N次根提取电路:
8.24 拉氏变换:(略)
九、系统方程宏模型:可作为功能块代替某些未知的电路或不需要分析的电路,插入电路中,使电路系统的分析变得简单明了。
9.1 积分器子电路:作为求解微分方程组的基本运算部件,可在10MHz下工作
子电路描述文件:
* Integrator Subcircuit
. Subckt int 1 2
Gi 0 2 1 0 1u
Ci 2 0 1uf
Ro 2 0 1000MEG
.ENDS INT
9.2 电感型微分电路:受控源G的控制电压为Vin,输出电流i
9.3 电容型微分电路:
9.4 网络函数的SPICE模型:高阶网络函数可分解为几个较简单的一阶、二阶函数,用级联和耦合结构来实现
十、非线性器件的模型:
10.1 电容型传感器:检测元件是非线性电容
10.2 光敏电阻:时变电阻
10.3 变容二极管:压控电容
10.4 负值电感:(略)
10.5 负值电容:(略)
10.6 运算放大器:(略)
10.6.1 简单理想运算放大器:电压控制电压源
10.6.2 简单非理想运放宏模型
10.6.3 精确运算放大器宏模型
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