随机存取存储器(RAM)

重点:物理层面(芯片的角度)的地址。

DRAM的特点:由电容构成(电容只要有回路,就有泄漏想象,漏电,所以信息不稳定)

主要特点:

需要定时刷新:定时对存储元进行读或写操作(电容充电、放电)-频率很高。(如今的内存条都是DRAM的)

SRAM(静态随机存取存储器):由双稳态电路构成,存储信息稳定

示例芯片:SRAM 6264

SRAM 6264:

容量:8K*8b(8K:指芯片上有8K个单元。8b指一字节)

主要引线:

地址线:A0~A12(address)--2^13=8K

数据线:D0~D7(data)

输出允许信号:#OE(#指低电平有效)

写允许信号:#WE

片选信号:#CS1,CS2(只有#CS1和CS都有效时,芯片才被激活)

6264芯片与系统的连接

存储器芯片与系统的连接分为两部分:

1.确定要访问的存储芯片

2.找到芯片后,寻找该芯片上访问单元

注:用芯片的13位地址编码A0~A12寻址片内的每个单元

译码电路设计

译码:将输入的一个高位地址信号通过变换,产生一个有效的输出信号,用于选中某一个存储器芯片,从而确定了该存储器芯片在内存中的地址范围

译码方式

全地址译码:用全部的高位地址信号作为译码信号,使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址(无浪费任何地址单元,都被有效的利用在但线路设计复杂)

例:已知某SRAM6264芯片在内存中的地址为:3E000H~3FFFFH。试画出将该芯片连接到系统的译码电路。

设计步骤:

1.写出地址范围的二进制表示

2.确定各高位地址状态

3.设计译码器。

思路:只要让A13~A19用某个译码器让其输出为0

部分地址译码

用部分高位地址信号(不是全部)作为译码信号,使得被选中的存储器芯片占有几组不同地址范围。

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