微电子电路——PMOS网表详解

我没有鸽！
只是在纠结，两个这么像的要不要发出来，但既然答应了
那就发吧

*Sample netlist for GSMC
不用管，这个就是个标题

.TEMP 25.0000
也不用管，基本上在我们的代码中这一句都是要加的

.option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold

.lib ‘gd018.l’ TT
需要引用一个名叫gd018.l的库文件，这也说明了我们必须要将我们的网表（sp）文件和gd018.l文件放在一起

— Voltage Sources —
vdd VDD 0 dc=1.8
vgs g VDD dc=-1.8
vds d VDD dc=-1.8
vbs b VDD dc=0
定义连接点，比方说第一句，我们定义了一个连接点vdd，他连接了VDD（高电平）和0（地，低电平），而他们之间的电压为1.8V；有比方说是最后一句，我们定义了一个连接点vbs，他连接了衬底b和低电平0，两者之间的电压为0。
这里实际上我们有很多是不需要定义的，因为我们是在下一个模块来决定我们是使用什么元件。
但为什么要有呢？因为我们在定义扫描的时候需要用到我们的连接点，这样才可以决定以什么样的方式在那两个节点上输入自变量
— Inverter Subcircuit —
Mpmos d g VDD b PCH W=30U L=6U
定义了一个pmos管，后面分别是他的漏极、栅极、源极、衬底与哪些结点相连，这里我们可以将衬底也写成0，并不会影响结果。PCH代表他的工艺，记住就好，实在想了解可以去看gd018文件里面对pmos管工艺的解释，这里不再赘述。W为沟道宽，L为沟道长，其中的U是单位长度
— Transient Analysis —
.dc vds -1.8 0 0.01 SWEEP vgs -1.8 0 0.2
在连接点vds上施加直流电压（dc，当然后面会有交流电压，到时候会进行讲解），电压值从-1.8开始，以0.01为步长逐步增加到0.在扫描vds的同时，扫描连接点vgs，vgs的电压从-1.8开始，以0.2为步长逐步增加到0，这样我们就会画出1.8/0.2+1=10条线，每条线的自变量是vds，就是我们书上的图像

.print dc v(d) i(Mpmos)
打印的值是衬底d的直流电压以及流经pmos管的电流

.end

最终得到的结果如图所示：

在熟悉之后可以对代码进行修改，一次性显示多个不同宽长比的pmos管的图像，现将代码附上：

*Sample netlist for GSMC.TEMP    25.0000 .option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold.lib 'gd018.l' TT* --- Voltage Sources ---
vdd   VDD  0 dc=1.8
vgs   g   VDD dc=-1.8
vds   d   VDD dc=-1.8
vbs   b   VDD dc=0* --- Inverter Subcircuit ---
Mpmos1 d g VDD b PCH W=6U L=6U
Mpmos2 d g VDD b PCH W=18U L=6U
Mpmos3 d g VDD b PCH W=30U L=6U* --- Transient Analysis ---
.dc vds -1.8 0 0.01 SWEEP vgs -1.8 0 0.2 .print i(Mpmos1) i(Mpmos2) i(Mpmos3) .end

得到的图像比较好看：

下一篇将会详解pmos管的网表文件

再加一点区别：
NMOS：

当Vgs<VT时，NMOS处于截止区，没有电流流过。
当0<VT<Vgs时，随着Vds的增大，NMOS会先后经过线性区和饱和区。
即当0<Vds<Vgs-VT时NMOS处于线性区，当0 <Vgs-VT<Vds时NMOS处于饱和区。当NMOS处于饱和区时，电流将不会增加。

PMOS：

当Vgs>VT时，PMOS处于截止区，没有电流流过。
当0<Vgs<VT时，随着Vds的增大，PMOS会先后经过饱和区和线性区。
即当Vgs-VT<Vds<0时，PMOS处于线性区；当Vds<Vgs-VT<0时，PMOS处于饱和区。
NMOS-C：
根据电压电流公式可以知道，随着宽长比的增大，电流增大。

PMOS-C：
根据电压电流公式可以知道，随着宽长比的增大，电流减小。

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