MOS管基本原理(整理)
P-N二极管工作原理
为解释MOS管工作原理图,我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图所示,我们知道在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。
MOS管工作原理
对于N沟道场效应管(见图1),在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处于截止状态(图1a),当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极时(见图1b),由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图1b),从而形成电流,使源极和漏极导通,我们也可以想象为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭建了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。
- VGS=0
不管VDS极性如何,总有一个PN结反偏,所以不存在导电沟道,Id=0 - VGS > 0
VGS > 0,在SiO2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,排斥P区多子空穴而吸引少子电子,当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。
VGS >0 -> g吸引电子 -> 形成反型层 -> 导电沟道
VGS升高 -> 反型层变厚 -> VDS升高 -> Id升高
Vgs >= Vt而Vds较小
VDS上升 -> Id上升
Vt: 开启电压,在VDS作用下开始导电时的VGS,Vt = VGS - VDSVGS > 0且VDS增大到一定值
VGS > 0且VDS增大到一定值后,靠近漏级的沟道被夹断,形成夹断区
闪存工作原理
闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力。
数据就存放在floating gate(悬浮门)之中,一个门可以存放1bit数据。数据的写入和擦除,都通过Control Gate来完成。
(1)当写的时候,加入足够大的门极电压,就可以通过氧化层的隧穿效应,将电子打入到浮栅中完成写0的过程;
(2)当擦除的时候,就加反向电压同样利用隧穿效应让电子从氧化层出来,就可以完成擦除功能。
(3)当读的时候,由于浮栅里面有电子,会有反向电场,这个时候会导致开启电压增大,读的时候就是靠这个特性,给门极加大于开启的电压的电压值,则沟道导通,会有导通电流,通过导通电流即可分析是否是0。
从这个图可以看出,以mlc为例,怎么读出mlc的数据呢,同样是按照之前的探测电压的方式,通过步进的探测电压,探测三个阈值,如果探测电压下有电流检测到,则表示是什么样的数据值,这就是cell多bit的读操作原理。
这是一个闪存颗粒的内部结构,每一行是其中一个page,一个page由33792个刚才那样的门组成,共4KByte,注意这里单位是千字节1Byte=8bit 这里总共有64个page,组成了一个block。wordline是字线,由其控制读取和写入,所以page是最小的读写单位 而这个block是最小的擦除单位。
每个Bit Line下的基本存储单元是串联的,NAND读取数据的单位是Page,当需要读取某个Page时,FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压,而对其他所有Page的Word Line施加电压(电压值不能改变Floating Gate中电荷数量),让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通,而我们要读取的Page的基本存储单元的D和S的导通/关断状态则取决于Floating Gate是否有电荷,有电荷时,Bit Line读出‘0’,无电荷Bit Line读出‘1’,实现了Page数据的读出,可见NAND无法实现位读取(即Random Access),程序代码也就无法在NAND上运行。
参考文档
http://www.kiaic.com/article/detail/927.html
闪存基本原理
nand flash阈值电压分布_NAND 闪存概述
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