一段话描述相控阵论文要点（持续学习更新中...）

2109005-许唐红,詹珍贤,胡帅帅,宋豪.T/R组件阻抗失配对相控阵天线性能的影响[J].微波学报,2021,37(03):82-84+98.

分类：性能影响工程分析
问题：采用SPDT开关代替环形隔离器来压缩剖面，大角度扫描有源驻波比增大带来的T/R开关失配问题。
方法：以天线有源主波比为变量分析天线T/R开关级联对发射输出功率、发射效率和发射通道相位的变化。
结论：采用T/R开关代替隔离器，需要天线的有源驻波比优于2.5：1。

2109006-潘晓枫,刘尧,林宗伟,张天羽,殷晓星,陶洪琪.面向有源相控阵系统2～18 GHz超宽带幅相多功能MMIC[J].固体电子学研究与进展,2021,41(02):103-108+131.

分类：高性能指标产品
指标：2GHz~18GHz宽带6位移相器，移相精度 RMS 小于 5°，移相寄生调幅小于±0.8 dB。
途径： 0.15 μm GaAs E/D pHEMT 工艺实；改进的串联电容型-基于磁耦合全通网络拓扑结构实现低3位，35.625°、11.25°和 22.5°移相电路；基于开关选择型磁耦合全通网络实现45°移相电路；开关选择型两级全通网络串联结构实现90°移相；有源巴伦和差分放大器实现180°移相；跨导增强（Gm⁃boost）结构行波放大器。
结论：片内集成了超宽带数控移相器、Gm-boost 结构行波放大器、单刀双掷吸收式开关、无源匹配电路、数字SPI 接口电路等，整个芯片尺寸为 4.0 mm×4.0 mm。相当不错的水准！

2109009-乔明昌,刘恩达,赵永志,赵宇.基于异构集成技术的相控阵T/R组件微系统[J].半导体技术,2021,46(06):440-444.

分类：高集成度产品
工艺：硅基微电子机械系统（MEMS）工艺和三维异构集成技术，采用两层硅基封装植球垂直互联。
结论：8GHz ~12GHz，饱和输出29dBm，接收增益21dB，接收噪声系数小于3dB。加油！同顶级水准¹还有距离。

2109010-姚亚利.高可靠低功耗Ka频段星载有源相控阵冗余备份技术[J].电讯技术,2021,61(01):36-41.

分类：新的架构方案
需求：实现星载相控阵中的上/下变频通道的备份冗余设计。
改进：采用无源器件耦合器代替开关，集成于原有的波束形成网络来
对 Ka 频段星载有源相控阵中的变频模块进行冷备份。
结论：不像是很新的解决方案…

2109011-刘明鑫,尹亮,汪学刚,邹林.基于射频采样宽带数字阵列雷达波束形成[J].雷达科学与技术,2020,18(04):394-398.

分类：新的架构方案
需求：计算量小、适用性好、具有较高工程可实现性的宽带数字波束形成技术。
改进：过采样+整数时延+移相（等效为分数时延）。
结论：对应模拟波束合成的子阵内移相+子阵级时延，不像是新方案，工程上可能比较实用。

D. Malta et al., “TSV-Last, Heterogeneous 3D Integration of a SiGe BiCMOS Beamformer and Patch Antenna for a W-Band Phased array Radar,” 2016 IEEE 66th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2016, pp. 1457-1464, doi: 10.1109/ECTC.2016.103. ↩︎

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