经典boost手机背光电路调试分析

项目中普遍使用的背光电路，是通过pwm控制。Pwm占空比越大，背光亮度越大，pwm占空比越小，背光亮度越小。典型的使用背光芯片为6脚的boost升压芯片。

以Silergy Corporation矽力杰半导体SY7203为例，如下图：

Vin范围：2.8 to 30V

20kHz~1MHz wide dimming frequency range forEN/PWM pin 。

关于boost电路的介绍参考链接博文：

http://blog.csdn.net/eliot_shao/article/details/46729955RT9293和boost电路分析

注意：芯片内部集成boost升压所需要的驱动信号，外部的pwm信号是用于改变feedback的电压值。

下面是该芯片的引脚图：

下面是一个典型的使用电路图:

控制原理是通过pwm调整占空比，修改FB的电压值，则Iled = Vfb/5.

还有一种非常规设计方法，电路无如下：

芯片的EN脚直接拉高，此时FB的电压一直为0.2V。

PWM端接到了，FB脚的延伸电路上，芯片手册里也给出这种电路的Iled的计算公式和模型：

其原理是流经R1，R2,R3的电流是相同的：

可以计算出Iled和duty的关系，实现通过pwm控制背光亮度的目的。注意此时pwm占空比越大，背光越暗，pwm占空比越小背光越亮。

软件部分上主要介绍第二种电路修改高通平台PM8916，mpp4引脚的输出电压最大值dts文件配置：

另外把控制pwm地方取反：

kernel/drivers/video/msm/mdss/mdss_dsi_panel.c

static void mdss_dsi_panel_bl_ctrl(structmdss_panel_data *pdata,u32 bl_level)

增加:

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