Atmel爱特梅尔AT89S52单片机开发实训装置,QY-DPJ12
AT89S52是美国ATMEL公司生产的低电压，高性能CMOS 8位单片机，片内含8k bytes的可反复擦写的只读程序存储器（PEROM）和256 bytes的随机存取数据存储器（RAM）器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，与标准MCS-51指令系统及8052产品引脚兼容，片内置通用8位中央处理器（CPU）和Flash存储单元，功能强大AT89S52单片机适合于许多较为复杂控制应用场合。
主要性能参数有
•与MCS-51产品指令和引脚完全兼容
•8k字节可重擦写Flash闪速存储器
•1000次擦写周期
•全静态操作：0Hz-24MHz
•三级加密程序存储器
•256×8字节内部RAM
•32个可编程I/O口线
•3个16位定时/计数器
•8个中断源
•可编程串行UART通道
•低功耗空闲和掉电模式
功能特性概述: AT89S52提供以下标准功能:8k字节Flash闪速存储器，256字节内部RAM，32个I/O口线，3个16位定时/计数器，一个6向量两级中断结构，一个全双工串行通信口，片内振荡器及时钟电路。同时，AT89S52可降至0Hz的静态逻辑操作，并支持两种软件可选的节电工作模式。空闲方式停止CPU的工作，但允许RAM，定时/计数器，串行通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存RAM中的内容，但振荡器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一个硬件复位。
•P0口：P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口,也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时,每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路，对端口P0写“l”时，可作为高阻抗输入端用。
在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低8位）和数据总线复用，在访问期间激活内部上拉电阻。 在Flash编程时，P0口接收指令字节。而在程序校验时，输出指令字节，校验时，要求外接上拉电阻。
•P1口：P1是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口，P1的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对端口写“l”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（ ）。 与AT89C5l不同之处是，P1.0和P1.1还可分别作为定时/计数器2的外部计数输入（P1.0/T2）和输入（P1.1/T2EX）。Flash编程和程序校验期间，Pl接收低8位地址。
•P2口：P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对端口P2写“l”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（ ）。
在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器（例如执行MOVX@DPTR指令）时，P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器（如执行MOVX@RI指令）时，P2口输出P2锁存器的内容。 Flash编程或校验时，P2亦接收高位地址和一些控制信号。
•P3口：P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4个TTL逻辑门电路。对P3口写入“l”时，它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时，被外部拉低的P3口将用上拉电阻输出电流（ ）。 P3口除了作为一般的I/0口线外，更重要的用途是它的第二功能，。
此外，P3口还接收一些用于Flash闪速存储器编程和程序校验的控制信号。
•RST：复位输入。当振荡器工作时,RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。
•ALE/ ：当访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8位字节。一般情况下，ALE仍以时钟振荡频率的l/6输出固定的脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。
对Flash存储器编程期间，该引脚还用于输入编程脉冲( )。
如有必要，可通过对特殊功能寄存器(SFR)区中的8EH单元的D0位置位，可禁止ALE操作。该位置位后，只有一条MOVX和MOVC指令才能将ALE激活。此外，该引脚会被微弱拉高，单片机执行外部程序时，应设置ALE禁止位无效。
• ：程序储存允许( )输出是外部程序存储器的读选通信号，当AT89S52由外部程序存储器取指令(或数据)时，每个机器周期两次 有效，即输出两个脉冲。在此期间，当访问外部数据存储器，将跳过两次 信号。
• /VPP：外部访问允许。欲使CPU仅访问外部程序存储器(地址为0000H—FFFFH)， 端必须保持低电平(接地)。需注意的是：如果加密位LB1被编程，复位时内部会锁存EA端状态。如EA端为高电平(接Vcc端)，CPU则执行内部程序存储器中的指令。 Flash存储器编程时，该引脚加上+12V的编程允许电源Vpp，当然这必须是该器件是使用12V编程电压Vpp。
•XTAL1：振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端。
•XTAL2：振荡器反相放大器的输出端。
•特殊功能寄存器：在AT89S52片内存储器中,80H-FFH共128个单元为特殊功能寄存器（SFR）。 并非所有的地址都被定义，从80H-FFH共128个字节只有一部分被定义，还有相当一部分没有定义。对没有定义的单元读写将是无效的读出的数值将不确定，而写入的数据也将丢失。不应将数据“1”写入未定义的单元，由于这些单元在将来的产品中可能赋予新的功能，在这种情况下，复位后这些单元数值总是“0”。
AT89S52除了与AT89C51所有的定时/计数器0和定时/计数器l外还增加了一个定时/计数器2。定时/计数器2的控制和状态位位于T2CON。T2MOD寄存器对(RCA02H、RCAP2L)是定时器2在16位捕获方式或16位自动重装载方式下的捕获/自动重装载寄存器。
•中断寄存器： AT89S52有6个中断源,2个中断优先级IE寄存器控制各中断位,IP寄存器中6个中断源的每一个可定为2个优先级。
数据存储器：AT89S52有256个字节的内部RAM,80H-FFH高128个字节与特殊功能寄存器(SFR)地址是重叠的,也就是高128字节的RAM和特殊功能寄存器的地址是相同的,但物理上它们是分开的。 当一条指令访问7FH以上的内部地址单元时,指令中使用的寻址方式是不同的,也即寻址方式决定是访问高128字节RAM还是访问特殊功能寄存器。如果指令是直接寻址方式则为访问特殊功能寄存器。 例如直接寻址指令访问特殊功能寄存器0A0H，即P2口地址单元。
MOV 0A0H, #data
间接寻址指令访问高128字节RAM例如下面的间接寻址指令中R0的内容为0A0H则访问数据字节地址为0A0H而不是P2口(0A0H)。
MOV @R0，#data
堆栈操作也是间接寻址方式所以高128位数据RAM亦可作为堆栈区使用。
QY-DPJ12创新单片机综合开发实训装置采用模块平放结构，除了提供经典实训项目，用户可以利用开放性的模块，设计出自己的实验项目，单片机采用爱特梅尔的AT89S52。该单片机内部设有256Byte的RAM和8KByte的FLASH、三个16位定时器，两个数据指针，片内集成了一个看门狗电路。64KRAM扩展空间、64KROM扩展空间；32个IO口，6个向量中断源；033MHz的工作频率，三级程序加密功能；工作电压4.0V5.5V。使用DIP40封装便于更换芯片及仿真。
实训项目
实训一 灯光闪烁实训
实训二 跑马灯实训
实训三 独立按键输入实训
实训四 光隔离输入输出实训
实训五 金属检测实训
实训六 动态数码管显示实训
实训七 矩阵键盘接口实训
实训八继电器隔离控制实训
实训九蜂鸣器演奏实训
实训十8255 芯片扩展 IO 实训
实训十一字符型液晶显示模块控制实训
实训十二液晶显示模块控制实训
实训十三 点阵 L E D 屏汉字显示实训
实训十四AD 转换实训
实训十五 D A 转换实训
实训十六 LM35 温度传感器采集实验
实训十七 单总线温度传感器采集实训
实训十八交直流减速电机控制实训
实训十九步进电机开环控制实训
实训二十RS232 通信实训
实训二十一 PS2 键盘通信实验
实训二十一 静态数码管显示实验
实训二十二 74LS164 串进并出实验
实训二十三 74LS165 并进串出实验
实训二十四 IIC 总线 IC 卡存储实验
实训二十五 IIC 总线实时时钟实验
实训二十六 IIC 总线 EEPROM 存储实验
实训二十七 外部中断光电计数控制电机实训
实训二十八 定时器中断控制电机实训
实训二十九 闭环交直流电机系统实验
实训三十闭环步进电机系统实验
实训三十一 恒温室控制系统实验
实训三十二 小车系统控制实训
实训三十三 智能物料搬运装置实训:
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- 直流减速电机应用实训
- 气动回路应用实训
- 丝杆传动机构应用实训
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