DDR 内存 ECC 纠错
对于 DDR4 DIMM 和 SODIMM（支持 ECC），ECC（纠错码）由内存控制器为写入的每个字节计算。每字节一个位作为计算的一部分提供，并存储在与存储其保护的字节不同的设备中。但是，一旦写入数据到达 DRAM，就不会对其进行检查。ECC 实际上仅用于保护 Read 上的数据。读回数据后，内存控制器检查 ECC，如果不正确，则尝试进行某种恢复。该恢复取决于系统，并且未由 JEDEC 规范指定。事实上，ECC 的计算和算法也没有具体说明，许多系统供应商也没有发布他们的 ECC 算法。如果是单个位错误，它将进行更正并将更正后的数据写回 DRAM。单位错误也称为“软错误”。如果它检测到双位错误，则无法进行任何纠正，因为 ECC 算法在数学上受到限制，只能进行单错误检测和纠正，而只能进行双位错误检测。您可能已经看过首字母缩略词 SECDED，这就是它的来源，单错误纠正，双错误检测。你可能已经看到首字母缩略词 SECDED，这就是它的来源，单错误纠正，双错误检测。系统日志文件应显示所有软错误和发生错误的地址。此外，它还应指明所有硬错误以及产生双位错误的读取地址。
数据源自内存控制器，然后通过内存通道，进入 DRAM。如果内存通道受到串扰、电源波动或其它信号完整性问题的影响，则数据到达 DRAM 时可能有问题，而且由于没有在 DRAM 中进行检查，我们不知道它是否正确。
接下来，写入数据被存储在 DRAM 中，并且可能会保留数天。当它位于 DRAM 中时它可能会被损坏（这可能以多种方式发生！）。当它最终被存储控制器读取时，计算 ECC 以查看是否可以检测到单个或双位错误，如果存在多个单或双位错误，则无法检测到。想象一下会对关键应用程序造成破坏的破坏！现在绝大多数时候，数据是好的，但是在出现错误的情况下，任何地方都没有指定错误处理。许多人不明白 JEDEC 规范是 DRAM 规范，而不是系统或内存控制器规范。更复杂的是，内存控制器没有向 DDR4 总线发出信号，表明它已检测到错误。所以我们不能在有问题的读取事务上触发逻辑分析器或范围。
那么我们如何找出将错误归咎于谁呢？由于 DDR4（和之前的 DDR3）架构在及时错误检测和恢复方面很差，我们必须采取务实的方法。我们必须通过查看重载和轻载下的信号完整性来验证信道。我们必须检查内存控制器是否违反协议。这可能是由于 BIOS 错误地设置了时序参数。我们需要查看读取数据的信号完整性，看看DIMM是否有问题。我们需要检查 SPD 以查看内存控制器是否将正确的参数编程到 DRAM 中。我们还需要查看导致系统最常出现故障的应用程序，以查看其是否可以指示“Row Hammer”事件。
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