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MUR20060CT在MUR-2封装里采用的2个芯片,是一款超快恢复模块。MUR20060CT的浪涌电流Ifsm为800A,漏电流(Ir)为1mA,其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。MUR20060CT采用GPP硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MUR20060CT的电性参数是:正向电流(Io)为200A,反向耐压为600V,正向电压(VF)为1.3V,其中有2条引线。

MUR20060CT参数描述

型号:MUR20060CT

封装:MUR-2

特性:超快恢复模块

电性参数:200A600V

芯片材质:GPP硅芯片

正向电流(Io):200A

芯片个数:2

正向电压(VF):1.3V

浪涌电流Ifsm:800A

漏电流(Ir):1mA

恢复时间Trr:110ns

工作温度:-40~+175℃

引线数量:2

MUR20060CT超快恢复模块封装系列。它的本体长度为92.2mm,宽度为20.3mm,高度为16mm,脚间距为34.9mm。MUR20060CT有双二极管结构、低漏电流、低正向压降、高浪涌电流能力、超快速切换等特点。

以上就是关于MUR20060CT-ASEMI快恢复模块MUR20060CT的详细介绍。

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