【模电知识总结】MOS管
文章目录
- 一、MOS管是什么?
- 二、结构与工作原理
- 三、输出特性
- 1、VDS不变,VGS改变
- 2、VGS固定,VDS改变
- 四、答疑
- 1、进入饱和区,若想加大电流该怎么做?
- 2、MOS管的特性
- 3、为什么叫MOS管?
- 4、增强型N沟道MOS管符号解释
- 5、既然MOS管是一个对称结构,SD极是否可以互换?
- 6、源漏栅名字的由来
- 7、MOS管为什么称为电压型器件?
- 8、寄生二极管哪儿来的?
- 9、增强型名字的由来
- 10、为什么要把衬底接地?
- 五、NMOS与PMOS
- 参考资料
一、MOS管是什么?
MOS管全称叫金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种压控器件。
MOS管属于场效应晶体管。
其中增强型NMOS与PMOS是应用最多的种类,也是本文要介绍的内容。
二、结构与工作原理
在一个P型基底上生成两块N型半导体,再加上两个金属电极形成源极和漏极。
给源极和漏极加上电,不能导通,因为两者之间相当于两个背靠背的二极管。此时MOS管始终截止。
怎样让源极和漏极可以导通?
在P型半导体上加一个很薄的二氧化硅绝缘层(下图中红色薄片),又在绝缘层上制作了金属极板(下图中黑色薄片),形成栅极。
注意:
栅极极板以前一般为铝,现在一般使用多晶硅
在栅极上也加上正向电压,栅极与P型半导体形成一个电容,并形成一个电场,电场方向从栅极指向P型半导体,在电场的作用下,P型半导体一侧空穴受到排斥,电子得到吸引,该区域自由电子数量开始增加,但MOS管仍不导通。
栅极电压继续增大,自由电子进一步增加,当栅极电压达到一个阈值电压VTH后,此时P型半导体转变为N型半导体(反型层),连通漏极和源极,即形成了N沟道(即供电子通过的沟道)。此时MOS管导通。
注:
该结构中导电沟道是N型的,所以是N沟道。
三、输出特性
1、VDS不变,VGS改变
VGS主要影响导电沟道的宽度。
当VGS < VTH时,导电沟道未形成,MOS管处于截止区,这种情况称为MOS管被夹断;
当VGS = VTH时,导电沟道开始形成;
当VGS > VTH时,随着VGS的增大,沟道宽度也加大,阻力也变小,能通过的电流也变大。这也就是为什么驱动大功率设备,VGS不能太小的原因,太小内阻太大,导致MOS管发热严重。
这也就是说,MOS管的内阻可以通过VGS来调节。
2、VGS固定,VDS改变
前提:
VGS大到可以形成沟道。
VDS将引起漏极电流的变化。
当VDS较小时,随着电压增大,电流iD线性增大,此时MOS管满足欧姆定律。与这一过程同时发生的是随着VDS的增加,沟道两端的电势差开始不等。
VGD > VTH阶段:
在VDS=0V时,沟道两端的电势相等(VGS = VGD),两端沟道宽度相等。当VDS增加时,VGS 保持不变,VGD=VGS - VDS逐渐减小,这导致沟道变窄(栅极与衬底电势差越小,沟道越窄),这限制了电子的流动,虽然被限制,但电流大小一直在增加,只是增加速率减小了。
VGD = VTH阶段:
VDS继续增加,沟道越来越窄,直到进入临界状态,沟道靠漏极一端趋于夹断,但由于电流的连续性,沟道无法真正夹断(称为预夹断),留有极窄的通道,电子在里面高速通过,此时漏极电流几乎达到最大值,此时的电流称为饱和电流(此时MOS成了一个恒流源),发生该电流的电压称为饱和电压(每一个VGS对应一个饱和电流和饱和电压)。
包括前两个阶段在内的MOS管都处于可变电阻区。在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻
VGD < VTH阶段:
VDS进一步增大,电流基本不会改变,MOS管进入饱和区。说是不改变,但还是会有所增加。这称为沟道长度调制效应,这里不做讨论。
四、答疑
1、进入饱和区,若想加大电流该怎么做?
答:增加栅极电压,以扩大沟道宽度,此时到沟道再次被夹断所通过的电流也会增大。
2、MOS管的特性
答:(1)MOS管的栅极输入阻抗非常高
因为SiO2绝缘层的存在,MOS管输入阻抗达上亿欧姆,导致栅极电流几乎被完全阻断,栅极功耗几乎为0。
(2)MOS管的栅极容易被静电击穿(MOS管是一个ESD敏感器件)
因为栅极输入阻抗很大,栅极上的感应电荷很难释放,它产生的高压很容易就把很薄的绝缘层给击穿。
为什么会产生高压?
U=Q/C
MOS管的极间电容很小,一点点电荷积累就会产生高压!因此用手指触摸栅极就可以使MOS管导通。
怎么解决?
在实验中栅极悬空很风险,很多时候就因为这样爆管,栅极接个下拉电阻对地,旁路搅扰信号就不会直通了,一般选10~20K(为什么?经验值,太大泄放速度慢,太小功耗增加)。这个电阻称为栅极电阻(可泄放栅极积累的电荷)。但这么做的代价就是控制极产生了能耗,原本几乎是0耗能的。
(3)导通电阻低,可以做到几个毫欧的电阻,极低的传导损耗
(4)开关速度快,开关损耗低,理论上可以达到几十MHz或以上,特别适应PWM输出模式。
3、为什么叫MOS管?
下面是MOS管的全称,可以看出MOS管的名称是根据结构与材质来的,它体现的是MOS管的“三明治”结构。
4、增强型N沟道MOS管符号解释
5、既然MOS管是一个对称结构,SD极是否可以互换?
不能!因为衬底与S相连,使对称结构成为不对称结构,规定与衬底相连的一极为S极。
6、源漏栅名字的由来
源:电子从源极进入沟道
漏:电子出去的地方,电子从源极流向漏极,漏极从沟道收集电子
栅:门、控制端
7、MOS管为什么称为电压型器件?
因为栅极的电压控制着电流从漏极向源极的流动,不仅控制能不能流过,还控制流过的大小。
8、寄生二极管哪儿来的?
S极与衬底内部连接,左边的PN结失去作用,只剩下右边的PN结,电流不能从D极通过PN结进入S极,因此对于NMOS来说,S极必须接低电压一端,D极必须接高电压一端,如果反过来,电流就直接从S流到D了,MOS管就直接导通了。MOS管也就不可控了。
9、增强型名字的由来
原本在UGS=0的时候,不存在反型层,而随着UGS的增加,反型层逐步出现并加厚(沟道加深),这个过程类似一个反型层增强的过程,因此定名。
10、为什么要把衬底接地?
为了形成电容!
五、NMOS与PMOS
NMOS是栅极高电平(VGS > Vt)导通,低电平断开。
PMOS是栅极低电平(VGS < Vt)导通,高电平断开。
参考资料
1、MOS管开关设计知识-(五种MOS管开关电路图方式)https://blog.csdn.net/qq_42597971/article/details/87918727
2、为什么单片机I/O口驱动MOS管时,不是直接驱动,而是经过三极管https://baijiahao.baidu.com/s?id=1647928518386326774&wfr=spider&for=pc
3、看懂MOS管的每一个参数!请收藏 https://www.sohu.com/a/319803899_465219
4、视频:Mos管的工作原理https://www.bilibili.com/video/BV1344y167qm
5、视频:MOS管工作原理https://www.bilibili.com/video/BV1Ly4y1178Q
6、视频:MOSFET是如何工作的https://www.bilibili.com/video/BV1hQ4y1M7HJ
7、视频:【知识】扔掉教科书 5分钟带你入门MOS管https://www.bilibili.com/video/BV1Co4y1Q7rN
8、https://www.youtube.com/watch?v=rkbjHNEKcRw
9、《模拟电子学基础》
10、https://blog.csdn.net/weixin_42328389/article/details/123922558
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